Поверхностно-барьерный диод
Cтраница 1
Поверхностно-барьерные диоды изготовляют методом осаждения металла на очищенную поверхность слаболегированного полупроводника. Для металлического контакта чаще всего используют тонкую алюминиевую пленку толщиной не более 0 1 мкм, так как алюминий имеет малое поглощение ускоренных электронов и высокую электропроводность. При бомбардировке электронами генерируются рентгеновское излучение и быстрые вторичные электроны, которые могут образовать в слое окисла электронно-дырочные пары. Положительный заряд захватывается окисным слоем, увеличивая поле на поверхности полупроводник - диэлектрик. [1]
Поверхностно-барьерные диоды на основе фосфида галлия могут быть изготовлены посредством напыления тонкого слоя золота или алюминия на кристалл р-типа. Вольтамперная характеристика таких диодов имеет нечетко выраженную область пробоя при обратном напряжении порядка 14 В. [2]
В поверхностно-барьерных диодах инверсионный слой образуется в результате электрохимического травления поверхности полупроводника. [3]
В настоящее время широко известны поверхностно-барьерные диоды ( диоды Шоттки), основой которых является структура металл - - - полупроводник с потенциальным барьером у поверхности полупроводника. Технология изготовления контактов кремнии - металл включает в себя подготовку поверхности полупроводника и создание двух контактов, один из которых является омическим, а второй - нелинейным, выпрямляющим с потенциальным барьером для носителей заряда. [4]
В зависимости от типа р-п переходов различают плоскостные, точечные, микроплоскостные и поверхностно-барьерные диоды. [5]
В рассмотренных ранее диодах использованы свойства электронно-дырочного перехода, который можно рассматривать как контакт между слоями полупроводника электронного и дырочного типов. В поверхностно-барьерных диодах или диодах Шоттки используются свойства контакта металл - полупроводник. [6]
 |
Распределение электрического поля в р - г-л - структуре при. [7] |
В реальных приборах вместо идеального i-слоя используют полупроводниковый слой со слабой электронной ( v-слой) или дырочной ( я-слой) проводимостью. При этом в поверхностно-барьерных диодах и в р - - п - или р - п-п - структурах электрическое поле сосредоточивается практически только в вы-сокоомной области полупроводника. [8]
По краям металлической верхней контактной пленки нанесена более толстая-которая обеспечивает прочный низкоомный электрический контакт, а также защищает периферическую часть р-я-перехода от разрушения электронным лучом. Применяют как р-п - и р - / - я-структуры, так и поверхностно-барьерные диоды. [9]
Таким образом, контакт металл - полупроводник при рассматриваемых условиях обладает выпрямляющей характеристикой, аналогичной характеристике р-п перехода. Следует отметить, что здесь один слой полупроводника заменен металлом, что приводит к тому, что сопротивление поверхностно-барьерных диодов в открытом состоянии меньше сопротивления обычных диодов с р-п переходом. Потенциальный барьер расположен на поверхности полупроводника, что предъявляет повышенные требования к обработке поверхности, которые не всегда удается реализовать. Отмеченные особенности ограничивают области применения поверхностно-барьерных диодов выпрямлением токов при относительно невысоком напряжении, обеспечивая при этом более высокий, чем в обычных диодах, КПД. [10]
Таким образом, контакт металл - полупроводник при рассматриваемых условиях обладает выпрямляющей характеристикой, аналогичной характеристике р-п перехода. Следует отметить, что здесь один слой полупроводника заменен металлом, что приводит к тому, что сопротивление поверхностно-барьерных диодов в открытом состоянии меньше сопротивления обычных диодов с р-п переходом. Потенциальный барьер расположен на поверхности полупроводника, что предъявляет повышенные требования к обработке поверхности, которые не всегда удается реализовать. Отмеченные особенности ограничивают области применения поверхностно-барьерных диодов выпрямлением токов при относительно невысоком напряжении, обеспечивая при этом более высокий, чем в обычных диодах, КПД. [11]
Страницы: 1