Cтраница 2
Были исследованы временные, энергетические и спектральные характеристики излучения ЗГ. Эти исследования показывают, что введение в резонатор селектора по-разному сказывается на длительности импульса генерации при различных значениях накопительной емкости Снак. Так, при С ак 3 мкФ длительность импульса генерации тгев уменьшается в 1 4 раза, а для С ак 18 мкФ - в 2 раза. Наблюдаемое различие объясняется тем, что потери, вносимые эталоном Фабри - Перо, слагаются из неселективных потерь в отражающих покрытиях и отражений на нерабочих поверхностях, а также потерь, обусловленных расходимостью излучения. [16]
Схема работает в режиме полного разряда накопительного конденсатора через тиратрон. Использование дросселя L3 в качестве зарядной линии позволяет увеличить напряжение на конденсаторе Стк до значений, вдвое превышающих напряжение на ВВ. В реальных условиях работы напряжение на Снак в результате перезарядки увеличивается еще на 20 % и более. [17]
Схема б на рис. 3.2 работает следующим образом. От высоковольтного выпрямителя через дроссель L3 и входную обмотку автотрансформатора Тр осуществляется резонансная зарядка конденсатора Снак. После насыщения дросселя L происходит быстрая разрядка конденсатора Снак / 4 на Соб и через АЭ. В связи с тем что рабочей емкостью для АЭ является емкость Снак / 4, общая длительность импульса тока через АЭ получается в два раза меньше, чем при прямой схеме, где рабочий конденсатор Снак разряжается непосредственно на АЭ через тиратрон. Тиратрон при этом работает в облегченном режиме по скорости нарастания тока, так как нагрузкой является не АЭ, а входная обмотка трансформатора Тр. Срок службы тиратронов возрастает до 1000 ч и более. [18]
Но с точки зрения конструктивного исполнения она проще и приводит к меньшим потерям мощности. Это связано с тем, что удвоение напряжения в случае использования схемы в ( схема Блумлейна [204]) осуществляется на высокочастотных конденсаторах с малыми потерями. В схеме б в фер-ритовом трансформаторе Тр рассеивается около 10 % коммутируемой тиратроном мощности, что требует дополнительного ( принудительного) воздушного охлаждения. Один из рабочих конденсаторов с емкостью Снак / 2 ( верхний на схеме) подключен к земле через дроссели L и Ьш, а другой ( нижний) - напрямую. [19]
Схема б на рис. 3.2 работает следующим образом. От высоковольтного выпрямителя через дроссель L3 и входную обмотку автотрансформатора Тр осуществляется резонансная зарядка конденсатора Снак. После насыщения дросселя L происходит быстрая разрядка конденсатора Снак / 4 на Соб и через АЭ. В связи с тем что рабочей емкостью для АЭ является емкость Снак / 4, общая длительность импульса тока через АЭ получается в два раза меньше, чем при прямой схеме, где рабочий конденсатор Снак разряжается непосредственно на АЭ через тиратрон. Тиратрон при этом работает в облегченном режиме по скорости нарастания тока, так как нагрузкой является не АЭ, а входная обмотка трансформатора Тр. Срок службы тиратронов возрастает до 1000 ч и более. [20]
Схема б на рис. 3.2 работает следующим образом. От высоковольтного выпрямителя через дроссель L3 и входную обмотку автотрансформатора Тр осуществляется резонансная зарядка конденсатора Снак. После насыщения дросселя L происходит быстрая разрядка конденсатора Снак / 4 на Соб и через АЭ. В связи с тем что рабочей емкостью для АЭ является емкость Снак / 4, общая длительность импульса тока через АЭ получается в два раза меньше, чем при прямой схеме, где рабочий конденсатор Снак разряжается непосредственно на АЭ через тиратрон. Тиратрон при этом работает в облегченном режиме по скорости нарастания тока, так как нагрузкой является не АЭ, а входная обмотка трансформатора Тр. Срок службы тиратронов возрастает до 1000 ч и более. [21]
Стк / 2 перезаряжается ( инвертируется) и в результате на последовательно включенных конденсаторах напряжение удваивается. После насыщения дросселя L ( как и в схеме б) происходит быстрая разрядка рабочих конденсаторов с общей емкостью Скак / 4 на COQ и через АЭ. Такой тирактор задерживает развитие анодного тока тиратрона по отношению к напряжению на 50 - 70 не. При большей задержке, с одним звеном сжатия, характеристики импульсов накачки АЭ ухудшаются. Дроссель LQ необходим для согласования времени перезарядки нижнего конденсатора Снак / 2 с задержкой развития разряда в АЭ и составляет единицы микрогенри. [22]
Потребляемая мощность, которой соответствует максимальная мощность излучения, считалась оптимальной. Оптимальная емкость обострительного конденсатора составляла С0 & - ( 1 / 5 - 1 / 6) Снак. [24]