Cтраница 2
Можно считать, что снас практически равна концентрации насыщенного раствора, а с совпадает с постоянным значением концентрации в объеме раствора. [16]
В (4.10) отсутствует / СНас, так как транзистор Т2 работает в активном режиме, а не в режиме насыщения. [17]
При vm; УовщСо / Снас все количество активного компонента приблизительно равномерно распределяется в объеме зерна. Если это количество недостаточно, пропитку повторяют, предварительно переведя осажденный компонент в нерастворимое соединение. [18]
Ек и Еск равняется / СНас. ЯнРяНаим) - Ток такой величины обеспечивает действие цепи обратной связи даже при минимальном усилении ( Р / / Рлгяаим) и ПРИ полной нагрузке. При уменьшении нагрузки базовый ток автоматически уменьшается, так как возрастает потенциал коллектора ( а следовательно, и потенциал анода диода), и растет ток диода / д, который почти полностью ответвляется в базу открытого транзистора. [19]
По этой температуре, используя известную зависимость снас f ( T), определяют значение снас. Предполагается, что концентрация примеси ( соли) в пристенном слое спс снас. По найденному таким путем значению спс и известной концентрации примеси для ядра потока ся определяют степень концентрирования примеси п сп с / ся. [20]
Для насыщенного раствора отношение ( С - Снас) / С [ ИС равно нулю; для пересыщенного раствора оно больше нуля, а для ненасыщенного раствора представляет собой отрицательную величину. [21]
Скорость растворения в конце процесса настолько замедляется ( Снас - Се - Ю), что прямое определение интегральной теплоты растворения Q становится Невозможным. Теплоту растворения в этом случае определяют косвенным путем. [22]
На рис. 6.2 штриховая кривая показывает зависимость / снас ( t / синас) - Эта зависимость является геометрическим мес-том точек, соответствующих токам и напряжениям, при которых наступает режим насыщения полевого транзистора. [23]
Количественно степень насыщения магнитной системы характеризуется коэффициентом насыщения / снас, который можно найти из магнитной характеристики ( рис. 3.35, о) как отношение отрезка ab, соответствующего МДС FBHOM, K отрезку be, отсекаемому продолжением прямолинейного участка магнитной характеристики. Применение несколько меньших коэффициентов насыщения в синхронных машинах по сравнению с машинами постоянного тока объясняется стремлением уменьшить магнитные потери в стали якоря и сократить число витков обмотки возбуждения. [24]
Формально это учитывается тем обстоятельством что т / / 7п снас / Св 1 а с увеличением т термическая эффективность ребер уменьшается. [25]
Зная Я в U V и измерив х, можно вычислить Снас - концентрацию насыщенного раствора. [26]
Зная Я00 U - f - V и измерив к, можно вычислить СНас - концентрацию насыщенного раствора. [27]
Интенсивность выпадения гипса в осадок зависит от степени пересыщения им пластовой воды С / Снас. При этом фактическая концентрация гипса С равна концентрации того иона ( Са2, SO2 -), который присутствует в меньшем количестве. [28]
Трансформатор на входе позволяет увеличить амплитуду базового тока, что способствует повышению коэффициента насыщения / Снас а следовательно, и удлинению плоской вершины импульса. [29]
По этой температуре, используя известную зависимость снас f ( T), определяют значение снас. Предполагается, что концентрация примеси ( соли) в пристенном слое спс снас. По найденному таким путем значению спс и известной концентрации примеси для ядра потока ся определяют степень концентрирования примеси п сп с / ся. [30]