Cтраница 3
![]() |
Упрощенная схема логического элемента 2И - НЕ ( ТТЛ. [31] |
Дальнейшие усовершенствования этой серии были направлены на повышение быстродействия и снижение потребляемой мощности. [32]
Повышение степени интеграции и информационной емкости функциональных узлов для ЗУ и снижение потребляемой мощности связано с применением ЗЭ динамического типа на МДП-структурах. В динамических, или тактируемых, ЗЭ для хранения информации используется емкость. [33]
В автомате предусмотрена возможность производить сварку или всех стерж-вей одновременно или для снижения потребляемой мощности отдельными группами. [34]
В вычислительных устройствах, где определяющим фактором является высокое быстродействие и где требования снижения потребляемой мощности, габаритов и веса вследствие этого отходят на второй план, решение может быть найдено только в применении элементов ЭСЛ или ТТЛ ( с диодами Шоттки) потенциальной системы и параллельного принципа обработки информации. [35]
Непрерывное совершенствование характеристик самих интегральных микросхем - увеличение функциональной сложности, повышение быстродействия, снижение потребляемой мощности, улучшение качества и надежности - позволит промышленности решить одну из задач, поставленных XXVI съездом КПСС, - повысить технический уровень и качество продукции машиностроения, средств автоматизации и приборов, значительно поднять экономичность и производительность выпускаемой техники, ее надежность и долговечность. [36]
![]() |
Схема внешнего амплитудного модулятора поляризационного типа. / - ОКГ. 2 - поляризатор. 3 - анизотропная оптическая среда. 4 - анализатор. [37] |
При разработке модуляторов оптического диапазона, кроме проблемы широкополосности, важное значение имеют вопросы снижения потребляемой мощности и обеспечения линейности модуляционной характеристики в большом динамическом диапазоне. [38]
Главные цели любого схемотехнического проектирования заключаются в повышении быстродействия, уменьшении площади микросхем, снижении потребляемой мощности и стоимости, числа активных и пассивных элементов на кристалле кремния, повышении отказоустойчивости и долговечности, расширении диапазона отклонений от нормы напряжения питания и температуры окружающей среды, обеспечении совместимости уровней входных и выходных сигналов с ТТЛ-уровнями. Достигаются эти цели и на основе принципиально новых технологических решений. Например, простое уменьшение размеров активных элементов - транзисторов в технологии производства полупроводниковых планарно-эпитак-сиальных микросхем позволяет улучшить быстродействие и сохранить при этом приемлемую потребляемую мощность. Однако совершенствование технологии происходит гораздо медленнее, чем развитие схемотехники, и установлено, что схемотехническими методами можно добиться лучших показателей намного быстрее, чем технологическими методами. [39]
Совершенствование логических ИС идет в следующих основных направлениях: увеличение быстродействия, повышение помехоустойчивости, снижение потребляемой мощности, расширение логических возможностей, увеличение надежности, снижение стоимости. [40]
Авария сопровождается понижением рабочего давления, увеличением расходных параметров при включенном насосном агрегате КНС и снижением потребляемой мощности. Это подтверждает предполагаемый порыв. [41]
Микроминиатюризация радиотехнических устройств, а вследствие этого увеличение числа элементов в единице объема, рассеивающих теплоту, требует снижения потребляемых мощностей. Для этого необходимо предельно снизить напряжение питания до барьерной величины ( 1 - 1 5 В), что позволит сократить потребляемую мощность в 5 - 10 раз, а переход в режим микротоков ( ток покоя 1000 мкА) для транзисторов позволит снизить потребляемую мощность на 2 - 3 порядка. [42]
![]() |
Зависимости входного сопротивления и входной емкости от тока эмиттера ( на частоте 45 Мгц. [43] |
В устройствах, работающих от батарей, где величина потребляемого тока должна быть как можно меньше, для снижения потребляемой мощности необходимо использовать источники питания с низким напряжением. [44]
Характеристика напора диагонального насоса имеет специфическую впадину и поэтому представляется линией двоякой кривизны; характеристика мощности этого насоса показывает снижение потребляемой мощности при увеличении производительности. Последнее является особенностью диагональных, а также осевых насосов. [45]