Снижение - степень
Cтраница 4
Для снижения степени облучения территории полигона или аэродрома следует ограничивать использование отрицательных углов наклона антенн. [46]
Факт снижения степени концентрации напряжений с увеличением угла перехода известен давно и широко используется в практике конструирования. [47]
При снижении степени сшивки или уменьшении концентрации ионов, фиксированных в ионите, константа обменного равновесия стремится к единице. [48]
При снижении степени перегрузки уменьшается число очагов зарождения трещины, при этом они менее четко выражены. Радиальные уступы идут к центру сечения, где и располагается зона хрупкого разрушения. [49]
При снижении степени неравномерности регулирования из-за понижения противодавления по сравнению с паспортным степень неравномерности следует повышать в последнем каскаде. [50]
 |
Зависимость степени кристалличности от молекулярной массы при различных скоростях охлаждения ( а и от температуры закалки ( б. Скорость охлаждения v v2v3. [51] |
При снижении степени кристалличности ПТФЭ, достигаемом закалкой, улучшаются многие свойства, кроме жесткости и проницаемости. Однако закалка используется нечасто, так как форсирование режима охлаждения, особенно для крупногабаритных блоков, приводит к растрескиванию изделий. [52]
При снижении степени осушки газа увеличивается содержание пара серной кислоты в газе, поступающем в абсорбционное отделение, что приводит к образованию тумана. В этом случае, чтобы уменьшить количество образующегося тумана, процесс абсорбции серного ангидрида осуществляют в одном моногидратном абсорбере, орошая его концентрированной серной кислотой ( 98 3 % - ная H2SO4), имеющей достаточно высокую температуру. [53]
При снижении степени нагрева воздуха определяют теплопроизводительность калорифера. [54]
 |
Зависимость степени кристалличности от молекулярной массы при различных скоростях охлаждения ( а и от температуры закалки ( б. Скорость охлаждения о, о2 о. [55] |
При снижении степени кристалличности ПТФЭ, достигаемом закалкой, улучшаются многие свойства, кроме жесткости и проницаемости. Однако закалка используется нечасто, так как форсирование режима охлаждения, особенно для крупногабаритных блоков, приводит к растрескиванию изделий. [56]
 |
Эквивалентная схема туннельного диода. [57] |
При снижении степени легирования сильно легированного полупроводника туннельный эффект проявляется слабо и туннельный ток в прямой ветви вольт-амперной характеристики становится незначительным. Диоды, обладающие большим туннельным обратным и малым туннельным прямым токами, называются обращенными ( см. рис. 28, 6) и используются для переключения в наносекундном и пико-секундном диапазонах, а также для детектирования СВЧ-сигналов. [58]
Страницы: 1 2 3 4