Отсекающий диод
Cтраница 2
Наиболее часто применяется раздельный запуск триггера импульсами отрицательной полярности, подаваемыми через так называемые отсекающие диоды ( Д, Д2 на рис. 6.7 а) на базы транзисторов. [16]
Схема триггера с коллекторным счетным запуском приведена на рис. 7.19. Здесь запускающие импульсы подаются через отсекающие диоды Д1 и Дг на коллекторы транзисторов Тг и Г2, а оттуда через конденсаторы С2 и Сг на базы Тг и 7 соответственно. [17]
 |
Принципиальная схема модуля Б системы элементов. [18] |
К этим способам относятся: уменьшение сопротивлений резисторов Ri, R3, R, включение в базы транзисторов отсекающих диодов, имеющих малое значение / ко; применение термосопротивлений; введение нелинейной обратной связи в транзисторном каскаде. Включение отсекающих диодов также обязательно при использовании дрейфовых транзисторов, имеющих низкое пробивное напряжение участков база - эмиттер. Отсекающие диоды предохраняют вход транзистора при запирании и тем самым обеспечивают нормальную работу схемы. Указанные способы позволяют уменьшить нестабильность задержки до 0 003 % град, но схема одного каскада линии при этом значительно усложняется. [19]
 |
Схема тиристорного пнвег г-оа ИТ-220 / 15. [20] |
Преобразовательный элемент собран по схем; параллельного инвертора со средней точкой и состоит из двух тиристоров Д1 и Д2, двух отсекающих диодов ДЗ и Д6, двух обратных диодов Д4 и Д5, коммутирующего дросселя Др2, конденсатора С8 и силового трансформатора Тр. Преобразование постоянного тока в переменный осуществляется за счет попеременного подключения с помощью тиристоров источника постоянного тока к полуобмоткам первичной обмотки трансформатора, вследствие чего во вторичной обмотке индуктируется переменный ток. Частота переменного тока определяется частотой следования управляющих импульсов и равна 50 Гц. Форма Напряжения, снимаемого со вторичной обмотки трансформатора, близка к прямоугольной. [21]
В генераторе наносекундных импульсов накопительные конденсаторы С и С % заряжаются от высоковольтного импульсного трансформатора ( Тр) через зарядный дроссель ( Др1) и зарядный отсекающий диод ( Д) до некоторого амплитудного значения напряжения. Конденсатор С является обостряющим, обеспечивающим крутизну фронта импульса тока накачки. [23]
 |
Двоичная пересчетная ячейка на тиратронах. [24] |
Следует однако отметить, что уменьшать величины анодных сопротивлений для уменьшения времени нарастания напряжения нецелесообразно, так как схема становится слишком критична к изменению напряжения питания, Поэтому для уменьшения времени нарастания более целесообразно применить отсекающие диоды в цепях сеток и анодов. [25]
Задаваясь значением ес 5 10 - 8 и подставляя в выражения (8.51) и (8.52) данные из технического задания, определяем, что для реальных значений Рл2Ваим x 60 требуемые параметры выходного импульса обеспечиваются в схеме на составном транзисторе и с отсекающим диодом. [26]
При разомкнутом контакте транслирующего реле ( исходное ссстояние и время паузы) стабилитрон Д7 пробит и напряжение в точке соединения резисторов R14 и R41 примерно равно 12 в, так как диод Д8 открыт. Отсекающий диод Д6 предохраняет стабилитрон Д7 в том случае, если на вход попадет напряжение станционной батареи. Стабилитрон Д7 не пропускает на вход затянутых искрогасящим конденсатором задних фронтов отрицательных импульсов. На время действия импульса через замкнутый контакт транслирующего реле проверяемого прибора и диод Д6 снимается отрицательное напряжение с анода стабилитрона Д7, в результате чего он запирается. [27]
К этим способам относятся: уменьшение сопротивлений резисторов Ri, R3, R, включение в базы транзисторов отсекающих диодов, имеющих малое значение / ко; применение термосопротивлений; введение нелинейной обратной связи в транзисторном каскаде. Включение отсекающих диодов также обязательно при использовании дрейфовых транзисторов, имеющих низкое пробивное напряжение участков база - эмиттер. Отсекающие диоды предохраняют вход транзистора при запирании и тем самым обеспечивают нормальную работу схемы. Указанные способы позволяют уменьшить нестабильность задержки до 0 003 % град, но схема одного каскада линии при этом значительно усложняется. [28]
Для исключения времени рекомбинации Тр желательно предохранять триод от попадания в режим насыщения. Для этого применяются, например, отсекающие диоды, о которых будет сказано ниже. [29]
В рассматриваемой схеме коммутирующий конденсатор включен параллельно нагрузке только в момент его перезаряда. На частотах выше 400 Гц влияние отсекающих диодов уменьшается, так как время перезаряда конденсаторов становится сравнимым с периодом переменного напряжения на выходе инвертора. Кроме того, коммутирующий дроссель LK по окончании коммутации тока оказывается закороченным через тиристоры. В случае идеальных тиристоров инвертор может опрокинуться. Для улучшения работы на повышенных частотах в инвертор вводят дополнительные цепи, предотвращающие накопление энергии в индуктивных элементах. [30]
Страницы: 1 2 3