Снижение - фототок
Cтраница 1
 |
Кривые / 4 - ф в 0 01 М рас. [1] |
Снижение фототока при адсорбции анионов связано прежде всего с влиянием г) - потенциала на фотоэмиссию, и если бы влияние анионов сводилось лишь к этому, то по соответствующему сдвигу кривых фототока можно было бы определить изменение г з - потенциала при адсорбции и рассчитать таким образом потенциал во внешней плоскости Гельмгольца. [2]
В литературе приводится несколько конструкций манометрических преобразователей, в которых использованы перечисленные способы снижения фототока. Например, в работе [56] дано описание манометрического преобразователя с двумя коллекторами, имеющими одинаковые размеры и расположенными внутри сетки симметрично относительно оси манометра. На один из коллекторов подается потенциал - 60 в относительно другого коллектора. Ионный ток первого коллектора будет приблизительно в 2 раза меньше, чем второго. Для измерения давления используется разность токов коллекторов, измеряемая дифференциальным электрометром; фоновые токи коллекторов при этом взаимно уничтожаются. Таким образом удается понизить нижний предел измерения на 1 - 2 порядка. [3]
 |
Зависимость Ф - lg [ ( 2 / 0 - / / / ] для разных растворов. [4] |
Молекулы спирта, захватывая атомы водорода и образуя окисляющиеся на электроде радикалы, приводят к снижению фототока. Влияние этанола практически одинаково при всех потенциалах, что, согласно [53], связано с независимостью от потенциала скорости замедленного процесса на электроде. Им может быть только адсорбция атомарного водорода, предшествующая электрохимическим стадиям. [5]
При достаточно отрицательных потенциалах, когда адсорбция анионов незначительна, фототоки для всех четырех растворов совпадают. В средней области потенциалов, где существенно проявляется специфическая адсорбция галоидов, наблюдается снижение фототока. [6]
Действительно, пороговый потенциал не меняется при адсорбции ионов галоидов из растворов с достаточно высокой ионной силой, где толщина двойного слоя невелика. Сдвиг ар - потенциал а в отрицательную сторону при адсорбции анионов должен привести к снижению фототока. [7]
 |
Спектральные характеристики фоторезисторов. [8] |
Спектральная характеристика ( рис. 2 - 101) выражает относительное ( в процентах) изменение фототока в зависимости от длины волны падающего на фоторезистор света. Различают общий диапазон, волн, к которым чувствителен фоторезистор ( например, в пределах снижения фототока до 10 % максимального значения) и волну основного максимума. Полупроводниковые фоторезисторы, изготовленные из различных материалов, работают в чрезвычайно широком диапазоне волн: от инфракрасных лучей до рентгеновых и гамма-лучей. [9]
Как следует из этих данных, введение ионов Pel приводит к заметному снижению фототека, при этом снижение фототока пропорционально 1 % / Ы 7, что позволяет сделать вывод об участии ионов Pol, адсорбированных на поверхности, в рекомбина-ционных процессах. Предварительное осаждение металла на поверхность практически не вело к изменению фототока. [10]
Если радикалы М восстанавливаются на электроде, то в стационарных условиях присутствие спирта не сказывается на величине фототока, поскольку число переходящих через границу раздела электронов на один эмиттированныи электрон сохраняется постоянным. XII), то в этом случае часть захваченных в растворе электронов, превратившись в радикалы М, возвращается обратно на электрод, что приводит к снижению фототока. Остальные эмиттированные электроны не вносят никакого вклада в фототок, так как их возвращение на электрод в виде е д или М компенсирует соответствующую долю тока эмиссии. [11]
Характерной особенностью фоторезисторов из сернистого и селенистого кадмия является возможность получения значительного по величине светового тока. Последний, проходя через фоторезистор, вызывает нагрев, который в отдельных случаях ( когда величина тока превышает допустимое значение) может привести к необратимому росту темнового тока и снижению фототока. [12]
Все сказанное выше относится к чистым металлическим поверхностям. Адсорбция на поверхности металла атомов других веществ, в частности газов, даже в самом небольшом количестве может привести к значительным изменениям фотоэлектрических свойств металла. Тщательные исследования, проведенные в этом направлении, показали, что изменения фотоэлектрических свойств металлов при адсорбции на их поверхности чужеродных атомов связаны с происходящим при этом изменением работы выхода. Адсорбция электроположительных атомов, например атомов щелочных металлов, снижает работу выхода и вызывает возрастание фотоэффекта. Адсорбция электроотрицательных атомов ( кислорода, галоидов) приводит к увеличению работы выхода и снижению фототока. Число атомов, адсорбированных на поверхности, не остается строго постоянным во времени - оно изменяется при нагревании и длительном освещении в результате частичного испарения, диффузии, поверхностной миграции. [13]
Страницы: 1