Cтраница 1
![]() |
Световые характеристики фотодиода в фотодиодном и фотогальваническом режимах ( / и Ux. [1] |
Снижение чувствительности в области коротких волн связано с тем, что при уменьшении длины волны энергия излучения поглощается в тонком приповерхностном слое, где скорость рекомбинации за счет ловушек значительно больше, чем в глубине материала. Таким образом, коротковолновая граница чувствительности фотодиода зависит от толщины базы и от скорости поверхностной рекомбинации. [2]
Снижение чувствительности объясняется большой активацией макрокомпонентов и вызванной ею необходимостью использовать для анализа небольшие навески ( 50 - 100 мг); самопоглощением потока нейтронов в образцах; проведением большого числа операций очистки, что приводит к малым химическим выходам определяемых элементов. [3]
Снижение чувствительности и точности флуориметрических определений в присутствии посторонних веществ велико. [4]
Снижение чувствительности за счет увеличения емкости Свх, необходимой в приборах, предназначенных для работы в диапазоне низких частот, можно также несколько компенсировать, применяя усилители с большими коэффициентами усиления и используя одновременно несколько пластинок пьезоэлектрика. [5]
Снижение чувствительности в области коротких волн связано с тем, что при уменьшении длины волны энергия излучения поглощается в тонком приповерхностном слое, где скорость рекомбинации за счет ловушек значительно больше, чем в глубине материала. Таким образом, коротковолновая граница чувствительности фотодиода зависит от толщины базы и от скорости поверхностной рекомбинации. [6]
Снижение чувствительности объясняется большой активацией макрокомпонентов и вызванной ею необходимостью использовать для анализа небольшие навески ( 50 - 100 мг); самопоглощением потока нейтронов в образцах; проведением большого числа операций очистки, что приводит к малым химическим выходам определяемых элементов. [7]
Снижение чувствительности связано с повышенной вязкостью растворов, содержащих мешающие вещества. При распылении растворов с повышенной вязкостью в пламени получается крупнодисперсный аэрозоль и, естественно, снижается при этом интенсивность излучения атомов и молекул. [8]
Снижение чувствительности объектов, окружающей и проникающей в них среды к зажигающему воздействию разрядов статического электричества обеспечивается регламентированием параметров производственных процессов ( влагосодержание и дисперсность аэровзвесей, давление и температура среды и др.), влияющих на Wp и флегматизацию горючих сред. [9]
![]() |
Световые ( а и вольтамперные ( 6 характеристики фотоэлементов с внешним фотоэффектом. [10] |
Снижение чувствительности фотоэлементов необходимо учитывать при конструировании аппаратуры и при ее эксплуатации. [11]
Снижение чувствительности процесса к колебаниям переходных сопротивлений и увеличение в 3 5 раза объема металла, находящегося в зазоре, позволило получить необходимое плавление металла проводника при прохождении одного импульса сварочного тока и этим самым значительно повысить стабильность свойств получаемых соединений. [12]
Поскольку снижение чувствительности оказывает линеаризующее воздействие на характеристику тракта, это приведет и к некоторому увеличению быстродействия. [14]
Для снижения чувствительности сравниваем полученные выражения ( 17) и ( 18) в заданной области частот и находим максимальную чувствительность. Для этого ищется такая корректирующая цепь, которая, не изменяя общую характеристику системы ( например, не меняя характеристическое уравнение системы), создает дополнительный компенсирующий фактор. Для того чтобы новое звено не повлияло на характеристическое уравнение, необходимо, чтобы при добавлении нового столбца структурной матрице ( 10) или ( 11) не создавался новый фактор, и, наоборот, для компенсации ( 18) необходимо, чтобы новый столбец в матрице 13Т1Ъ создал дополнительно фактор. При этом желательно, чтобы новое звено создало как можно меньше дополнительных факторов в других матрицах склейки. [15]