Свето-излучающий диод

Cтраница 1

Свето-излучающие диоды загораются поочередно при изменении входного напряжения от минимального до максимального значения Содержит 223 интегральных элемента. [1]

Местная сигнализация осуществляется свето-излучающими диодами на лицевых панельках блоков и лампами на дверце шкафа: зеленой - срабатывание защит и белой - неисправность защиты. [2]

Источником ИК-излучения в данном случае является свето-излучающий диод ( СИД) - полупроводниковое устройство, эмитирующее инфракрасные лучи после приложения к нему напряжения. Излучение непосредственно модулируется включением и выключением диода для представления нуля и единицы в двоичном коде, или же диод может переключаться при фиксированной частоте для генерирования волны несущей частоты, которая затем может модулироваться различными методами, например сдвигом фазы или определенными импульсами. Блоки усиления и детектирования восстанавливают первоначальный сигнал по напряжению. Существенной особенностью ИК-каналов передачи данных является их независимость от прямого луча, соединяющего два устройства. Излучение диффузно, оно отражается от стен и потолка и в идеале распространяется по всему помещению, как свет электрической лампочки, подвешенной в центре потолка. Поскольку в этом случае нет необходимости выдерживать линию прямой видимости между передатчиком и приемником, то терминалы и другие устройства могут быть расположены в помещении где угодно и в любом положении относительно друг друга. Сигналы центрального компьютера передаются большим блоком свето-излучающих диодов, расположенных вблизи центра помещения. Каждый сигнал снабжен адресом, определяющим конкретный терминал, и все остальные терминалы его не воспринимают. Сигналы в других направлениях передаются светоизлучающими диодами, которыми снабжены терминалы или приборы, и принимаются центральным блоком. На рис. 7.16 показано типичное расположение передатчиков и приемников в стандартной лабораторной обстановке. [3]

Спектральные характеристики инжекцион-ных диодов.| Конструкции излучающей ЧЕСТИ инжекци-онных диодов.| Внешний вид.| Технические данные некоторых светоизлучающих диодов ( ]. [4]

Использование двойной гетероструктуры значительно повышает быстродействие свето-излучающих диодов, что в сочетании с высокой эффективностью определяет их перспективность. [5]

Рабочим элементом в полупроводниковых генераторах ( свето-излучающих диодах) обычно является монокристалл из арсенида галлия. Такой кристалл прозрачен, и его можно рассматривать как оптический резонатор. При этом наблюдается высвечивание его в инфракрасной области спектра. [6]

В полупроводниковых лазерах или в оптических квантовых генераторах ( полупроводниковых ОКГ) излучение, как и в свето-излучающих диодах, порождается рекомбинацией электронов и дырок. Излучение при вынужденной рекомбинации получается когерентным ( см. § 1.11), что является принципиальным отличием полупроводниковых лазеров от светоизлучающих диодов. Явление вынужденной рекомбинации дает возможность управлять излучением возбужденных атомов полупроводника с помощью электромагнитных волн и таким образом усиливать и генерировать когерентный свет. [7]

В последнее время все большее значение приобретают оптоэлектронные преобразователи с модуляцией и демодуляцией света, в которых легко осуществляется потенциальная развязка от силовой цепи. Напряжение на измерительном сопротивлении усиливается и подается на свето-излучающий диод, световой сигнал с которого после прохождения через световод воспринимается фототранзистором. Оптическая передача сигнала обладает высокой помехоустойчивостью. [8]

Многие полупроводниковые излучатели могут излучать только некогерентные электромагнитные колебания. К ним относятся полупроводниковые излучатели видимой области спектра - полупроводниковые приборы отображения информации ( свето-излучающие диоды, полупроводниковые знаковые индикаторы, шкалы и экраны), а также полупроводниковые излучатели инфракрасной области спектра - инфракрасные излучающие диоды. [9]

Используйте оптический изолятор DS3661 ( рис. 4.52) и предположите, что для питания свето-излучающего диода необходим ток в 5 мА при напряжении 1 75 В. Достаточно будет показать только логику схемы. [10]

Устройство световолокон-ного кабеля.| Ввод излучения в световод. [11]

Весьма сложную задачу представляет собой, ввод излучения в световод. Наилучшее сопря-жение достигается при использовании в качестве излучателя твердотельного лазера, создающего когерентное излучение. Более сложно обстоит дело при соединении световодов со свето-излучающими диодами, имеющими широкую диаграмму направленности. Эффективность ввода может быть повышена с помощью специальных фокусирующих линзовых систем ( рис. 10.7, б), однако это существенно усложняет конструкцию устройства ввода. [12]

Измерительные оптоэлектрояные преобразователи. [14]

Весьма интересно применение линейных оптронов в измерительной технике. Например, при измерении напряжений свыше 5 кВ традиционными методами необходимы: 1) применение высоковольтного разделительного трансформатора; 2) применение незаземленного синхронизированного осциллографа или 3) измерение разности напряжений по отношению к земле с помощью делителей напряжения. Все эти методы, однако, трудоемки, требуют громоздкого оборудования, обладают низкой точностью. Хорошие перспективы для снижения массо-габаритных показателей измерительного оборудования и улучшения точности измерения высоких напряжений имеет применение аналоговых оптронов. Главными преимуществами при этом являются простота изоляции и высокое быстродействие. На рис. 3.23 приведены примеры схем такого оптоэлектронного измерителя. На рис. 3.23 а СИД СД включен последовательно с шунтирующим силовой прибор резистором, что увеличивает потребление мощности и не позволяет измерять обратные напряжения. В схеме рис. 3.23 6 измеряемый сигнал 1 / двл поступает на СИД через понижающий делитель напряжения. Свето-излучающий диод находится под постоянным смешением 1 / оп. [15]

Страницы: 1