Cтраница 2
Поскольку это реакция медленная, бромит обычно определяют, добавляя избыток мышьяка ( III) и затем оттитровы-вая As1, не вступивший в реакцию. [16]
Практически установлена необходимость избытка мышьяка в растворе по сравнению со стехиометрическим его количеством, требуемым для поглощения сероводорода. Избыток мышьяка, способствующий увеличению скорости абсорбции H2S, обеспечи-гается соответствующей концентрацией и количеством раствора по отношению к количеству сероводорода в газе. [17]
Изучение структуры пленок на гранях ( 111) и ( 100) GaAs показывает, что плотность дефектов возрастает с ростом доли мышьяка. Избыток мышьяка можно рассматривать как примесь, которая адсорбируется на поверхности растущего кристалла и приводит к возникновению дефектов. [18]
Бромат титруют прямым или косвенным методом. В другом варианте добавляют известный точный избыток мышьяка ( III) к раствору более чем 0 5 М по H2SO4 и обратное титрование проводят К. Методика обратного титрования больше подходит при анализе смесей, содержащих значительные количества бромидов. [19]
Как показал рентгеноструктурный анализ полученных образцов, избыток мышьяка не приводит к изменению параметра решетки. Результаты исследования некоторых электрических свойств полученных кристаллов твердых растворов 2GaAs - ZnSiAs2 при комнатной температуре приведены в таблице. Хотя избыток мышьяка приводит к некоторому понижению концентрации дырок р, все же р-тип проводимости и высокая концентрация носителей заряда сохраняются. [20]
В общем виде реакция Малапраде описана в гл. Она основана на восстановлении избытка периодата до иодата известным объемом раствора арсенита и последующем титровании избытка мышьяка ( III) стандартным раствором иода. [21]
Структура пленок GaAs, растущих на германии, в существенной мере определяется соотношением Ga и As в газовой фазе. Совершенные пленки можно получить лишь при условии, что в начальный период роста газовая фаза содержит избыток мышьяка. В противном случае пленки обладают блочной структурой и возможно даже осаждение чистого галлия. Поэтому авторы работы [44] рекомендуют создать перед переносом хлорида галлия у подложки атмосферу, содержащую мышьяк и хлористый водород. [22]
Другой метод основан на добавлении избытка стандартного раствора мышьяка ( III) и обратном титровании стандартным раствором иода. Эта методика является составной частью метода определения [2] гипобромита, бромита и бромата. Введение в раствор избытка мышьяка с последующим обратным титрованием иодом позволяет определять лишь сумму гипобромита и бромита. Тот же метод, используемый после разрушения гипобромита ионом аммония, позволяет определять только бромит. Иодиметрическое титрование дает сумму всех трех анионов. [23]
Поглощение измеряют при 590 или 550 нм. Определению кремния не мешает 100-кратный мольный избыток мышьяка и фосфора. [24]
Помещают 62 5 г ( 0 15 М) димерного трихлорфосфа-зобутила в двугорлую колбу, снабженную обратным холодильником и капельной воронкой. К димеру прибавляют по каплям 80 г ( 0 6 М) трехфтористого мышьяка. После окончания экзотермической реакции смесь кипятят с обратным холодильником 2 часа, охлаждают и отгоняют избыток трехфтористого мышьяка в вакууме. Остаток - смесь треххло-ристого мышьяка и продукта фторирования-фракционируют при 10 - 15 мм. Собирают фракцию, кипящую при 80 - 85 / 12 мм. Ее кипятит еще раз с 5 - 6 г трехфтористого мышьяка и вновь фракционируют. [25]
Как показал рентгеноструктурный анализ полученных образцов, избыток мышьяка не приводит к изменению параметра решетки. Результаты исследования некоторых электрических свойств полученных кристаллов твердых растворов 2GaAs - ZnSiAs2 при комнатной температуре приведены в таблице. Хотя избыток мышьяка приводит к некоторому понижению концентрации дырок р, все же р-тип проводимости и высокая концентрация носителей заряда сохраняются. [26]
Концы или хвосты монокристаллического слитка обрезают, используя смоченную водой алмазную пилу с одним ножом и различные хладагенты, добавляемые в воду. Монокристаллический слиток помещают на станок, придают ему форму цилиндра установленного диаметра. Этот процесс называется шлифованием с применением смачивающей жидкости. После обрезки и шлифовки слитки GaAs устанавливают на графитовый держатель с помощью парафина [ воска ] или эпоксидной смолы и разрезают по внутреннему диаметру ( ID) на отдельные пластины автоматическими пилами с алмазным ножом. Жидкостная операция выполняется с использованием смазочных средств. В результате образуется суспензия GaAs, которую собирают, центрифугируют и обрабатывают фторидом кальция, чтобы выделить в осадок мышьяк. Продукт, образующийся сверху в результате отстаивания, проверяют, чтобы убедиться, что в нем нет избытка мышьяка. Отстой прессуют в брикет и уничтожают как опасные отходы. [27]