Значительное снижение - сопротивление
Cтраница 1
 |
Электрическая прочность песка, глины и перегноя в однородном поле. Кривые.. 1 2 3. [1] |
Значительное снижение сопротивления у сухих грунтов, в особенности у глины и перегноя, по-видимому, является следствием нелинейности зависимости удельного сопротивления твердой основы грунта от напряженности поля, проявляющейся при малой влажности и по природе аналогичной нелинейности вилита. [2]
Значительное снижение сопротивления деформации, независимость его от степени деформации и рост пластичности при малых скоростях деформации характерны для вязких аморфных тел и, следовательно, сверхпластичное состояние является промежуточным между металлическим и аморфным, приближаясь к последнему. [3]
 |
Схемы проверки сопротивления изоляции обмоток реактора. а - между обмоткой и землей, 6 - между обмоткой и бетоном, в - между обмотками разных фаз. [4] |
Значительное снижение сопротивления изоляции бетонных колонок по сравнению с предыдущими измерениями указывает на наличие в них влаги. [5]
 |
Простейшее устройство автоматического контроля изоляции сети постоянного тока. [6] |
При значительном снижении сопротивления изоляции в любом элементе системы оперативного тока УКИ срабатывает, включает звуковой сигнал ( звонок, сирену и др.) и зажигает световое табло, привлекающее внимание обслуживающего персонала. [7]
Тогда получается значительное снижение сопротивления заготовки пластическому деформированию при неизменной прочности опасного сечения у дна детали. [8]
Если измерения покажут значительное снижение сопротивления изоляции по сравнению с наблюдавшимся ранее, то генератор следует перевести на резервное возбуждение и повторить измерения. Если сопротивление изоляции восстановится до значений, близких к обычным, можно предположить, что ослаблена ( или повреждена) изоляция внешних цепей; в противном случае замыкание на корпус следует искать в цепи обмотки ротора. [9]
При этом оказывается возможным значительное снижение сопротивления в открытом состоянии, несвойственное МДП - транзисторам. Схемотехнически структуру ячейки IGBT можно представить комбинацией двух главных составляющих: управляющего МДП-транзи-стора и биполярного р-п-р-транзистора ( 2.26), соединение которых очень напоминает внутреннюю структуру упоминавшихся в первой главе побистора и каскадного BIMOS-клю-ча. Таким образом, в отличие от МДП-ключа прямое падение напряжения в рассматриваемой структуре, с одной стороны, не может быть меньше, чем пороговое значение диодной составляющей, а с другой стороны, оно пропорционально выходному току, умноженному на значительно меньшее промодулированное омическое сопротивление. Поскольку омическая составляющая расположена в базовой цепи p - n - p - транзистора, величину модуляции можно рассматривать как уменьшенное в SN раз сопротивление эпитаксиального гГ - слоя, где SN - коэффициент передачи базового тока биполярного транзистора. Данное представление прямого напряжения определяет его температурную зависимость, которая складывается из двух противоположных составляющих: отрицательного температурного коэффициента у диодной компоненты и положительного у омической. Как правило, в области рабочих токов, на которые проектируется структура IGBT, результирующий температурный коэффициент является положительным, сохраняя в данном приборе преимущества полевого транзистора. Очевидно, что уменьшения прямых падений напряжения на открытом IGBT можно достигать двумя путями: уменьшением омического сопротивления эпи-таксиальных слоев и увеличением коэффициента передачи тока SN дляр-л-р-транзистора. Первый путь имеет ограничения, связанные с геометрическими размерами л - области, определяющими предельно допустимые напряжения на закрытом ключе. [10]
Рассмотренные выше экспериментальные данные показывают значительное снижение сопротивления развитию усталостных трещин в сталях 15Х2МФА ( I) и 15Х2МФА ( II) и двухчастотном нагружении по сравнению с одночастотным и позволяют получить зависимости для прогнозирования условий начала высокочастотной составляющей при двухчастотном нагружении и проанализировать подходы, учитывающие ее влияние на рост трещины. [11]
При сильном увлажнении обмоток происходит значительное снижение сопротивления Rc, шунтирующего воздушные промежутки между соседними лобовыми частями. [12]
Результаты этих исследований свидетельствуют о значительном снижении сопротивления росту трещин при двухчастотном на-гружении по сравнению с одночастотным. Так, согласно данным работ [33, 75], наличие при циклическом нагружении небольших высокочастотных вибраций приводит к увеличению скорости роста трещин в алюминиевых сплавах на 2 - 3 порядка. Однако при малых значениях соотношений частот и амплитуд составляющих нагрузки скорости роста трещин на двухчастотных и одночастотных режимах мало отличаются друг от друга. Аналогичные результаты получены и в работе [67] при исследовании закономерностей роста трещин в нержавеющей стали в условиях высокотемпературного двух частотного нагру-жения. [13]
Износ и старение изоляции, сопровождающиеся значительным снижением сопротивления изоляции, могут быть естественным результатом длительного срока службы или чрезмерной перегрузки электрических машин. [14]
 |
Сравнительные характеристики СИТ и БСИТ транзисторов. [15] |
Страницы: 1 2 3