Cтраница 3
Светоизлучающий диод излучает видимый свет, когда проходящий через него ток превышает пороговую величину. [31]
![]() |
Светоиэлучающий диод. [32] |
Светоизлучающие диоды ( СИД), используемые в волоконной оптике, являются более сложными приборами по сравнению с описанным выше, однако принцип работы у них тот же. Сложности возникают из-за того, что необходимо создать источник с заданными характеристиками какой-либо волоконно-оптической системы. Принципиальными характеристиками диода являются длина волны излучаемого света и пространственная диаграмма излучения. [33]
![]() |
Светоизлучающие диоды. [34] |
Светоизлучающим диодом ( рис. 62) называется полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом, в котором при прямом включении происходит преобразование электрической энергии в энергию оптического излучения вследствие рекомбинации электронов и дырок. [35]
Светоизлучающим диодом СИД называется полупроводниковый прибор с одним переходом, в котором осуществляется непосредственное преобразование электрической энергии в энергию светового излучения за счет рекомбинации электронов и дырок, предназначенный для использования в устройствах визуального представления информации. [36]
![]() |
Кристалл полупроводникового светоизлучающего диода.| Характеристики светоизлучаюшего диодаг. [37] |
Инжекционный светоизлучающий диод представляет собой ( рис. 11.2) р-п переход, свечение которого вызвано рекомбинацией носителей тока ( электронов и дырок) при приложении к переходу прямого смещения. [38]
![]() |
Светоизлучающие диоды. [39] |
Плоские светоизлучающие диоды ( рис. 62, а) конструктивно довольно просты и имеют большую рабочую поверхность. Объясняется это тем, что в плоских светоизлучающих диодах большая часть внутренних лучей, исходящих из зоныр-п-пере-хода, падает на излучающую поверхность под углом, превышающим критический, при котором происходит полное внутреннее отражение. [40]
![]() |
Излучательная характеристика СИД ( кривой / соответствует верхняя шкала, кривой 2 - нижняя. [41] |
Для светоизлучающих диодов излучательная характеристика задается обычно зависимостью силы света У от прямого тока / пр. [42]
В светоизлучающих диодах красного цвета GaAs0 ePo 4 в качестве подложки использован арсенид галлия GaAs. На основе СИД этого типа изготавливаются ППИ для отображения букв и цифр, размеры которых не превышают 4 мм. Эти элементы имеют КПД люминесценции, равный 0 2 % при плотности тока ( 10 А / см2), и широко используются в портативных калькуляторах, наручных часах. [43]
Используют также светоизлучающие диоды ( светодиоды) л электроннолучевые трубки. [44]
СД - светоизлучающие диоды; ЛН - лампы накаливания; ЭЛИ - электролюминесцентиые порошковые, ЭЛП - электролюминесцентные пленочные индикаторы; ЖК - жидкокристаллические элементы; ГИП - газоразрядные индикаторные панели. [45]