Снятие - пересыщение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Жизненный опыт - это масса ценных знаний о том, как не надо себя вести в ситуациях, которые никогда больше не повторятся. Законы Мерфи (еще...)

Снятие - пересыщение

Cтраница 3


По данным практики при магнитной обработке наблюдается ускорение снятия пересыщения практически для многих веществ. Поэтому пока не удается установить не только количественной, но и качественной связи между рассмотренными параметрами и эффектом магнитной обработки.  [31]

32 Адсорбция 45Са на поверхности стабильных кристаллов щавелевой кислоты с различной удельной поверхностью, смг / г. 1 - 9 652. 2 - 29 730. 3 - 46 850. [32]

Анализ данных о соосаждении Са в опытах с изотермическим снятием пересыщения и адсорбции на стабильной поверхности кристаллов ( табл. 2 и 3) показывает, что адсорбция Са при кристаллизации ( степень осаждения а0 06) щавелевой кислоты и стабильными ее кристаллами характеризуется одинаковыми ( если проводить сравнение при соответственно равных m / V) величинами.  [33]

Следовательно, для создания полной картины соосаждения при снятии пересыщения необходимо исследовать поведение примеси при: образовании зародышей твердой фазы; укрупнении частиц в пересыщенном растворе; растворении частиц твердой фазы в растворе при т Loo и одновременном течении трех перечисленных выше процессов.  [34]

35 Условное обозначение модуля Насадочный. [35]

При рабочей температуре фильтрования 40 - 50 С эффективность снятия пересыщения по ионам кальция в фильтре не высока. Поэтому процесс осветления должен проходить без пересыщения рассола ионами кальция.  [36]

Все факторы, ускоряющие кристаллизацию, ускоряют также процесс снятия пересыщения.  [37]

38 Структурная схема ступенчатого кристаллизатора со смешанным отбором, циркуляцией суспензии и без растворения мелких кристаллов ( тип 0000.| Структурная схема ступенчатых кристаллизаторов с циркуляцией суспензии и смешанным отбором. тип ООП - с раздельным отбором маточного раствора и продукционной суспензии и растворением мелких кристаллов. тип 0010 -с раздельным отбором маточного раствора и продукционной суспензии без растворения мелких кристаллов ( нагреватель / отключен. тип 0001 -без раздельного отбора продукционной суспензии и маточного раствора ( линия 2 отсутствует, с растворением мелких кристаллов. [38]

При циркуляции суспензии кратность циркуляции может быть меньше вследствие частичного снятия пересыщения на кристаллической подкладке.  [39]

40 Распределение примеси в твердой фазе при сокристалли-зации по Дорнеру и Госкинсу. [40]

По-видимому, в этих случаях условия захвата аналогичны условиям изотермического снятия пересыщения, а замедленность накопления осадителя, образующегося в результате химической реакции в растворе, обеспечивает установление квазиравновесия.  [41]

Распределение истинно изоморфного микрокомпонента плутония ( IV) при изотермическом снятии пересыщения оксалата тория также описывается уравнением Дерне ра - Госкинса, что подтверждает послойный рост кристаллов осадка при снятии пересыщения.  [42]

С повышением температуры скорость гидролиза карбамата возрастает, и ускоряется снятие кар-баматного пересыщения.  [43]

Большинство радиохимиков придерживаются мнения, что гомогенизация кристаллов в процессе снятия пересыщения происходит вследствие спонтанной перекристаллизации, интенсивность которой убывает по мере снятия пересыщения и укрупнения осадка. Роль перемешивания осадков исследователи сводили к ускорению диффузионных потоков в кристалл и обратно, к деформирующему воздействию ( в случае структурной перекристаллизации), а также к диспергированию твердой фазы, способствующей интенсификации оствальдова созревания. И наряду с этим в монографии [13] указывается, что от интенсивности и длительности перемешивания кристаллизующихся осадков зависит, будет ли микропримесь распределяться в кристалле гетерогенно или гомогенно.  [44]

Однако не всегда можно создать необходимые для такой кристаллизации условия изотермического снятия пересыщения. При свободном росте кристалла из насыщенных растворов происходит обмен ионами между раствором и поверхностью кристаллов.  [45]



Страницы:      1    2    3    4