Cтраница 2
Таким образом, эффективный контроль за размером зародышевых частиц возможен за счет относительно небольших изменений начального состава смеси мономеров. Если основной мономер вводят затем в виде отдельной загрузки, то отклонение от среднего состава полимера незначительно. Подобный кооперативный эффект соосаждения наблюдается и тогда, когда растворяющая способность среды понижена. Например, более грубая дисперсия может быть получена при добавлении относительно небольшого количества сильного растворителя или же, когда мономер является растворителем для своего собственного полимера, путем увеличения начальной концентрации мономера. Еще одно небольшое преимущество идентичности состава дисперсного полимера и якорного компонента, образующегося in situ, заключается в отсутствии проблемы несовместимости, которая может неблагоприятно влиять на степень ассоциации якорного компонента с поверхностью частицы полимера. [16]
Все отмеченные факторы выступают в качестве исходных данных при решении задачи конфигурирования или распределения исходных процессов по процессорам. Наряду с термином конфигурация иногда используют и термин балансировка, подчеркивая этим получение определенного баланса между двумя видами загрузок процессора. [17]
Основной проблемой, возникающей при получении поликристаллических полупроводников, является достижение максимальной чистоты, определяемой минимальной концентрацией неконтролируемых примесей или минимальной разностной концентрацией основных носителей заряда в сочетании с минимальной степенью компенсации. В отдельных случаях в поликристаллических полупроводниках лимитируют концентрацию некоторых примесей, например кремния в полупроводниковых соединениях или углерода и кислорода в элементарных полупроводниках. Другая проблема этого технологического передела заключается в получении поликристаллических полупроводников в виде мерных загрузок, о которых говорилось в § 2 гл. Их применение обеспечивает не только уменьшение загрязнений исходного материала, но и повышение производительности оборудования для выращивания монокристаллов. [18]