Вид - отражение
Cтраница 3
Известно что продольная кривая рассеяния матированной поверхности принимается за эллипс, а степень рассеяния света характеризуется отношением его полуосей. В последнем случае продольная кривая рассеяния материала в прямоугольной системе ко - - L ординат ie, e получит вид, изображенный на рис. 7.18. Из анализа этой кривой следует, что направленно-рассеивающее отражение света можно рассматривать состоящим из двух видов отражения: собственно направленно-рассеивающего и диффузного. В соответствии с этим продольная кривая рассеяния может быть разделена на две. [31]
 |
Рассеянное отражение. [32] |
На рис. 10.20 а дана модель вторичного излучателя на поверхности жидкости, подобная картине переизлучаемых радиоволн магнитного поля. На рис. 10.206 представлено изображение падающего луча и лучей вторичного ненаправленного излучения. Такой вид отражения называют рассеянным ( диффузным) отражением. [33]
Если учащиеся уже выполняли опыт II.1, посвященный изображениям в плоских зеркалах, то законы отражения могут быть использованы в качестве объяснения образования этих изображений. Можно предложить им сформулировать второй закон отражения ( о равенстве углов) при проведении одного из световых лучей от булавки объекта до зеркала и обратно к визирным булавкам и установлении равенства углов падения и отражения. Зеркальное отражение может быть вначале определено как вид отражения, наблюдаемого на блестящих поверхностях, подобных поверхности зеркала. На поверхностях различной степени гладкости получается различная степень зеркальности отражения. Идеально зеркального отражения не получается ни на одной реальной поверхности, так как никакая поверхность не является идеально гладкой. [34]
Поверхность зерна вследствие террасы, образующейся при химическом взаимодействии, оказывается шероховатой. При вращении образца, протравленного для выявления поверхности зерна, каждый кристалл с изменением угла падения света к его оси достигает наивысшей или наинизшей степени освещения. Такой вид отражения обозначен Чохральским [4] как периодическое отражение. Это явление зависит в первую очередь от того, в каком направлении кристалл рассечен плоскостью шлифа и является ли положение оси и плоскости кристалла благоприятным для химического взаимодействия с реактивом. [35]
Shiffrin, 1968, 1972; P. H. Lindsay, D. A. Norman, 1972), изучавшая запоминание нового материала, пришла к выводу, что в процессе запоминания нового материала происходит трехкратная переработка материала. По их мнению, в первом блоке, представляющем собой сенсорный регистр ( первичная память), все раздражители отражаются во всей полноте их признаков, доступных для сенсорной системы. Этот вид отражения характеризуется большим объемом и коротким сроком хранения следов. [36]
Страницы: 1 2 3