Cтраница 1
Вид Свободной поверхности ( согласно опытам Г. И. Сухомела, И. Л. Розовского и В. В. Смыслова) 1 характеризуется следующим. [1]
Выяснить вид свободной поверхности грунтового потока и построить кривую депрессии, если фильтрация воды происходит из магистрального канала в сторону реки. [2]
Определим теперь вид свободной поверхности жидкости. [3]
Таким образом, вид свободной поверхности вращающейся жидкости полностью определен. [4]
Условия возникновения этих видов свободной поверхности могут быть различны. Так, на рис. 10.10 а показана кривая подпора при преграждении плотиной, на рис. 10.10 6 - при истечении из-под затвора. [5]
На фото XIII-3 представлен вид свободной поверхности слоя при различных его высотах и скоростях воздуха. На фото ( а) труба находится на уровне поверхности слоя; скорость воздуха составляет 0 5 Umf. Ясно видны образующиеся пузыри в горизонтальной диаметральной плоскости трубы, где, как уже было показано, локальная скорость воздуха примерно равна Umf. Таким образом, около горизонтальной трубы могут возникать пузыри при скоростях значительно ниже соответствующей началу псевдоожижения. [6]
Поставим опять те же вопросы: каков вид свободной поверхности, каковы скорости и траектории отдельных частиц. [7]
Однако коренное отличие этого случая от стоячих волн заключается в том, что вид свободной поверхности будет теперь, оставаясь неизменным по форме, перемещаться в определенную сторону. [8]
В начале этой главы рассматриваются задачи о фильтрации из каналов трапецеидального сечения. Целью исследования является выяснение вопроса о зависимости расхода и вида свободной поверхности от формы канала. [9]
Большинство из них опирается на известный в гидродинамике прием, состоящий в распределении вдоль границ течений различных особенностей - вихрей источников, стоков и мультиполей - и последующем составлении интегральных уравнений для определения интенсивностей этих особенностей. Саламатов ( 1959) под руководством Ф. И. Франкля рассмотрел задачу об истечении несжимаемой жидкости из осесимметричной воронки конической формы, определил вид свободной поверхности и распределение скоростей вдоль стенки воронки. [10]
На рис. 7 - 7 ж этот уровень располагается на небольшом расстоянии ДЕ ниже дна заполненной зоны. Примеси этого вида называются донорами. Примесные уровни в нем близки к заполненной зоне и могут ионизироваться, принимая электроны из заполненной зоны и оставляя в ней дырки. Такие полупроводники называются дырочными или полупроводниками р-типа, что указывает на положительный знак носителей заряда. Примеси такого рода называются акцепторами. Новые уровни могут быть введены в зоны Совершенно правильных, идеальных кристаллов не только в виде инородных примесей или избыточных атомов одного из компонентов кристалла но и в виде свободных поверхностей и дефектов решетки. Такие нарушения могут служить ловушками электронов и оказывать большое влияние на проводимость. [11]