Вид - поле
Cтраница 3
 |
Поле уровней т ] к const, ZK const в плоскости ГХ1 - ГХ2 ( на рисунке - t, в С. [31] |
Результаты расчета представлены на рис. 6 в виде поля с линиями равной селективности т) к и равной производительности гк. Границы поля определяются условия-ми равенства максимальной температуры внутри реактора допустимой температуре. Из рисунка видно, что в диапазоне изменения т ] к от 0 6 до 0 7 увеличение т ] к на 0 01 сопровождается уменьшением ZK на 0 015 и что оптимальный по производительности температурный режим характеризуется достижением ограничения в каждой ступени реактора. [32]
 |
Поле уровней т ] к const, ZK const в плоскости ГХ1 - ГХ2 ( на рисунке - t, в С. [33] |
Результаты расчета представлены на рис. 6 в виде поля с линиями равной селективности riK и равной производительности ZK. Границы поля определяются условиями равенства максимальной температуры внутри реактора допустимой температуре. Из рисунка видно, что в диапазоне изменения цк от 0 6 до 0 7 увеличение т ] к на 0 01 сопровождается уменьшением ZK на 0 015 и что оптимальный по производительности температурный режим характеризуется достижением ограничения в каждой ступени реактора. [34]
В случаях, обладающих симметрией, удается установить вид поля, не решая уравнений. [35]
Это совпадает с градуировочной характеристикой, изображенной в виде поля допусков. [36]
 |
Определение ширины. [37] |
Тип элемента управления ( Display Control) - определяет вид поля: обычное поле, список или поле со списком. [38]
 |
Поле зрения микроскопа. [39] |
На рис. 140, а и б схематически представлен вид поля зрения наблюдательного микроскопа при измерении неровностей поверхности. [40]
ГРАВИТАЦИОННОЕ ПбЛЕ ( поле тяготения), один из видов поля физического, посредством к-рого осуществляется гравитац. [41]
Мервинит на этой диаграмме мог бы быть представлен в виде узкого поля между Ca SiO4 и монтнчеллитом. [42]
Чертеж, изображенный на плоскости, можно представить в виде координатного поля, ограниченного осями X и Т и разбитого на элементы. [43]
Поле такой системы зарядов на больших расстояниях от нее имеет вид поля диполя. [44]
Это поле направлений продолжается и на линию критических точек проектирования в виде гладкого поля направлений. Особенности оно имеет лишь в тех местах, где плоскость поля касается медленной поверхности. Это может случиться для системы общего положения лишь в отдельных точках. Такие точки лежат обязательно на кривой складок, так как плоскость поля содержит вертикальное направление. [45]
Страницы: 1 2 3 4