Избыток - теллур
Cтраница 1
 |
Диаграмма состояния системы Sb-Те в окрестности соединения 8Ь2Те3. [1] |
Избыток теллура в Bi2Te3, образуя антиструктурные дефекты, оказывает донорное действие. Атомы сурьмы в Sb2Te3 также образуют антиструктурные дефекты [106] и служат акцепторами, поэтому кристаллы 8Ь2Те3, выращенные из расплава, всегда имеют р-тип проводимости. [2]
Избыток теллура чрезмерно расширяет переходную зону, что снижает качество отливок. [3]
 |
Диаграмма состояния системы Bi-Те в окрестности соединения Bi2Te3.| Диаграмма состояния системы Sb-Те в окрестности соединения Sb2Te3. [4] |
Избыток теллура в Bi2Te3, образуя антиструктурные дефекты, оказывает донорное действие. Атомы сурьмы в 8Ь2Те3 также образуют антиструктурные дефекты [106] и служат акцепторами, поэтому кристаллы 8Ь2Те3, выращенные из расплава, всегда имеют р-тип проводимости. [5]
 |
Подвижность носителей в твердом растворе Bi2Te3 - Sb2Te3 ( р и PJ-TITHOB в зависимости от содержания Sb2Tes. [6] |
Элементы седьмой и шестой групп ( включая избыток теллура по отношению к стехиометрическому составу) дают донорные уровни, а элементы с меньшим количеством электронов ( включая избыток висмута по отношению к стехиометрическому составу) являются акцепторами. При этом если сопоставить влияние данной примеси на концентрацию носителей и их подвижность, то удается сделать более или менее убедительные заключения относительно того, как размещаются примесные атомы в решетке кристалла. [7]
Обычно теллуристый цинк имеет электропроводность р-типа из-за избытка теллура по сравнению со стехиометрическим составом. [9]
Чтобы создать я-прово-димость, вводят донорные примеси: либо избыток теллура, который изменяет состав расплава так, что мы переходим в область и-типа диаграммы состояния, либо галогены, либо медь. [11]
Была исследована зависимость электропроводности и магнитной восприимчивости от температуры у сплавов, содержащих избыток теллура по отношению к стехиометрическому составу 0 6 ат. [12]
BiaTe имеют достаточно широкие области гомогенности, при этом BizTes склонен к растворению избытка теллура, в то время как BJ2Te и BiTe легче растворяют избыток висмута. [13]
Как видно из рисунков, с увеличением значения х область гомогенности твердых растворов смещается в сторону избытка теллура. Кроме того, снижается температура отжига, необходимая для получения образцов n - типа электропроводности. В области концентрации носителей заряда, превышающей 5 - Ю17 см 3, полученные зависимости полностью совпадают для кристаллов, выращенных различными методами. Вблизи стехио-метрического состава наблюдается расхождение линий солидуса для кристаллов, выращенных из расплава и из газовой фазы. Это, по-видимому, обусловлено меньшим содержанием остаточных примесей в кристаллах, полученных газофазным методом. [15]
Страницы: 1 2 3 4