Современный диод

Cтраница 1

Современные диоды позволяют параметрическим усилителям работать на очень высоких частотах - до нескольких десятков тысяч мегагерц. Параметрические усилители характерны очень малыми собственными шумами. Если на запорный слой подать некоторое отрицательное смещение, то свободные носители зарядов будут в этом слое практически отсутствовать и шумы окажутся сведенными к незначительной величине. [1]

Современные диоды этого вида имеют сварной контакт между металлическим острием иглы и кристаллом. Сварка острия с кристаллом осуществляется пропусканием в прямом направлении в течение 5 - 10 сек тока, величина которого в 3 - 5 раз превышает его нормальное значение. При этом место контакта разогревается, и острие пружинящей иглы проникает в глубь кристалла, образуя полусферический контакт. Одновременно со сваркой контакта происходят процессы, имеющие место при формовании полупроводниковых диодов аналогичных типов, в результате чего в монокристалле создаются разграниченные области п и р-проводимостей. [2]

Современные диоды и транзисторы являются весьма надежными элементами. Вследствие этого приходится вести их испытания лишь в течение ограниченного разумными пределами времени. За это время отказывает обычно небольшое число приборов. [3]

Типичные конструкции полупроводниковых приборов.| Переход точечного диода. [4]

Некоторые современные диоды и транзисторы изготовляются без специальных герметичных корпусов. [5]

Для современных диодов R обычно бывает порядка сотен или десятков ом. [6]

У современных диодов Rt и R0 обычно бывают порядка сотен ом, причем Ro несколько больше Rt. Для малых токов, соответствующих начальному участку характеристики, R и R0 возрастают до тысячи ом и более. [7]

В современных диодах нормальный анодный ток получается при анодном напряжении до 20ч - 30 в. Следует отметить, что при Ua О анодный ток не равен нулю, а имеет небольшую величину. Это объясняется тем, что электроны вылетают из катода с различными скоростями и некоторые из них, имеющие наибольшие скорости, могут долетать до анода, преодолевая отталкивающее действие электронного облачка. [8]

Для большинства современных диодов крутизна составляет 2 - 10 мА / В. [9]

Следует подчеркнуть, что современные диоды и транзисторы редко уготовляются в индивидуальном порядке, как это было в эпоху: плавной технологии. [10]

Эскизы диодов и обозначения исполнения их корпусов. [11]

На рис. 13.1 представлены эскизы некоторых современных диодов и обозначения исполнения их корпусов. [12]

С ( эта температура является предельной для многих современных диодов) - на 7 порядков по сравнению со значением при Т - 25 С. В этих условиях, когда / настолько возрастает, невозможно пренебрегать обратным током через диод. [13]

Электронно-дырочный переход ( сокращенно р-п переход) основной элемент современных диодов и транзисторов, р-п переход возникает на границе между дырочной и электронной областью одного кристалла. Однако его нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластинок р - и n - типа проводимости, так как при этом неизбежен промежуточный слой воздуха, окислов или других поверхностных загрязнений, р-п переход получается в едином кристалле полупроводника, в котором при легировании донорами и акцепторами получена резкая граница между р - и л-обла-стью. [14]

Примем о10 вт-1, ( 50 1, что соответствует параметрам современных диодов. [15]

Страницы: 1 2 3