Cтраница 4
Это в действительности лежит в основе метода определения размеров коллоидных частиц по рассеянию рентгеновских лучей под малыми углами. К сожалению, в большинстве случаев коллоидные порошки не состоят из частиц с одинаковыми размерами, и это обстоятельство влияет на вид рассеяния под малыми углами, поэтому обычно с помощью этого метода не удается получить много сведений о форме частиц. [46]
Характер рассеяния в первую очередь зависит от соотношения между длиной волны и размером частиц. Если линейные размеры частицы меньше, чем примерно 1 / 15 длины волны, то рассеяние называется рэлеевским по имени Д. У. Рэлея ( 1842 - 1919), изучившего этот вид рассеяния. При больших размерах частиц принято говорить о рассеянии Ми. Хотя первоначально развитая Г. А. Ми ( 1908) теория относилась только к сферическим частицам, термин рассеяние Ми используется и для частиц неправильной формы. Для малых частиц теория Ми приводит к результатам теории Рэлея. Важным частным случаем оптической неоднородности является неоднородность оптических свойств среды, в которой распространяется звуковая волна. В результате этого возникают гармоническое распределение оптической неоднородности среды в пространстве и гармоническое, изменение оптических свойств во времени. В результате гармонического изменения оптических свойств во времени в каждой точке среды наблюдается изменение частоты дифрагированного света. Это изменение частоты дифрагированного на звуковой волне света получило название явления Мандельштама - Бриллюэна. [47]
Вот что пишет по этому поводу известный популяризатор науки Анна Михайловна Ливанова в своей книге Физики о физиках в очерке Вторая степень понимания, посвященном Л. И. Мандельштаму: Он сразу же дал верное истолкование вновь открытому виду рассеяния. [48]
Существует два механизма рассеяния носителей на дислокациях в Ge и Si. Первый из них, рассмотренный в [1281], связан с полем напряжений вблизи дислокаций. Этот вид рассеяния для хороших кристаллов является весьма несущественным. [49]
До сих пор мы пользовались упрощенными представлениями, считая, что через прозрачное вещество свет проходит беспрепятственно и без потерь. При более строгом рассмотрении прохождения монохроматического света через непоглощающее его вещество оказывается, что очень небольшая часть светового потока рассеивается по всем направлениям, несмотря на то, что вещество однородно, причем большая доля рассеянного света имеет ту же частоту, что и свет, падающий на вещество. Этот вид рассеяния света впервые был описан и изучен английским физиком Рэлеем, в честь которого рассеяние света с неизменной частотой называют рэлеевским рассеянием. [50]
Электропроводность металлов К или же обратная ей величина электросопротивления р определяется характером движения свободных электронов и в значительной степени зависит от температуры. При движении свободных электронов под действием электрического поля происходит их частичное рассеяние при взаимодействии с положительными ионами кристаллической решетки, при столкновениях с ионами примесей и из-за несовершенства кристаллической структуры. Эти три вида рассеяний и являются причиной электросопротивления. [51]
Поэтому легко ускорить носители вплоть до порогового значения, соответствующего стабильному состоянию, при котором энергия, получаемая от поля, уравновешивается энергией, отдаваемой решетке, и большинство носителей приобретает величину, близкую к этому значению. Если же преобладает полярное рассеяние, то скорость отдачи энергии решетке уменьшается с энергией носителей и большую энергию будут иметь носители, ускоренные полем. Для обоих видов рассеяния величина энергии, получаемой носителями, пропорциональна квадрату напряженности поля, причем в ковалентном полупроводнике повышение напряженности поля приводит к увеличению энергии всех носителей. [52]
Электропроводность металлов К или же обратная ей величина электросопротивления р определяется характером движения свободных электронов и в значительной степени зависит от температуры. При движении свободных электронов под действием электрического поля происходит их частичное рассеяние при взаимодействии с положительными ионами кристаллической решетки, при столкновениях с ионами примесей и из-за несовершенства кристаллической структуры. Эти три вида рассеяний и являются причиной электросопротивления. [53]
При низких температурах ( порядка единиц - десятков градусов Кельвина), когда тепловые колебания не оказывают существенного сопротивления движению электронов, в полупроводниках наблюдается другой механизм рассеяния носителей, а именно на ионизованных примесях. В отличие от нейтральных примесных центров примесные ионы создают вокруг себя достаточно сильное электрическое поле, искривляющее траектории движения электронов. Задача о таком виде рассеяния аналогична задаче о рассеянии а-частиц на атомах решетки, решенной Резерфордом. Так как при понижении температуры скорость движения электронов уменьшается, время, проводимое им в окрестностях примесного иона, возрастает и соответственно усиливается рассеяние и уменьшается подвижность. [54]