Кремниевый импульсный диод
Cтраница 1
Кремниевые импульсные диоды КД509А, КД510А применяют для импульсных радиоэлектронных устройств и выпускают в стеклянном светонепроницаемом корпусе ( рис. 43, б) с гибкими выводами, с диапазоном рабочих температур от - 55 до 85 С. Электрические параметры диодов приведены ниже. [1]
Кремниевые импульсные диоды КД513А применяют в широкополосных ограничителях и детекторах, элементах ЭВМ среднего и высокого быстродействия и выпускают в пластмассовом корпусе ( рис. 43, в) с гибкими выводами, массой 0 11 г, с диапазоном рабочих температур от - 60 до 85 С. Электрические параметры диодов приведены ниже. [2]
Кремниевые импульсные диоды КД521 ( А - Д) применяют в широкополосных ограничителях и детекторах, элементах ЭВМ среднего И высокого быстродействия и выпускают в пластмассовом корпусе ( рис. 43, г) с гибкими выводами, массой 0 15 г, с диапазоном рабочих температур от - 60 до 125 С. [3]
Кремниевые импульсные диоды КД522 ( А, Б) применяют в широкополосных ограничителях, детекторах, схемах ЭВМ и выпускают в пластмассовом корпусе ( см. рис, 44, г) с гибкими выводами, массой 0 2 г, с диапазоном рабочих температур от - 55 до 85 С. Диоды маркируют цветными полосками: КД522А - два кольца, КД522Б - три кольца. [4]
Разработан ряд кремниевых импульсных диодов высокого быстродействия в микроминиатюрном исполнении. Выпрямляющие структуры выполнены на основе планар-но-эпитаксиальной технологии. Основные электрические параметры трех типов миниатюрных диодов приведены в таблице. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда у диодов Шоттки определяется косвенным методом по частотной характеристике коэффициен-i в схеме однополупериодного выпрямления. [5]
Рассмотрено устройство двух типов кремниевых импульсных диодов КД509А и КД510А, изготавливаемых яа основе дланарно-зпи-таксиальной технологии. Приведены значения электрических параметров этих приборов и зависимости важнейших из них от режимов измерения. Описанные диоды находят применение в быстродействующих схемах переключения значительных по амплитуде импульсов тока. [6]
 |
Структура точечного. [7] |
Для ускорения переходных процессов в кремниевых импульсных диодах и для уменьшения значения времени восстановления обратного сопротивления этих диодов в исходный кремний вводят примесь золота. Эта примесь обеспечивает появление в запрещенной зоне кремния энергетических уровней рекомбинационных ловушек и уменьшение времени жизни неосновных носителей. [8]
Во-вторых, желательно иметь малый разброс характеристик при прямом смещении перехода. Поэтому были выбраны кремниевые импульсные диоды типа КД-901, которые выпускаются объединенными в матрицу 2НД - 021 что позволяет уменьшить габариты множительного устройства. [9]
 |
Устройство р - л-переходов точечных ( а, сплавных ( б, сварных ( в, диффузионных меза-диодов ( г и планарных ( д. [10] |
В сплавных диодах ( рис. 11 - 23, б) р - - переход получают вплавлением в кристалл полупроводника электронной проводимости кусочка сплава, содержащего атомы акцепторной примеси. Граница между исходным монокристаллом и сильно легированным р-слоем представляет собой р - - переход. Обычно такой метод используется при изготовлении кремниевых импульсных диодов. [11]
Страницы: 1