Детекторный диод

Cтраница 2

Статическая характеристика детекторного диода.| Конструктивные варианты детекторных диодов. [16]

Технологическая особенность детекторных диодов заключается в весьма низкоомном материале базы и очень малом ( 2 - 3 мкм) радиусе точечного контакта. Низкое удельное сопротивление базы ( примерно 0 01 - 0 001 Ом-см) обусловливает очень малое время жизни носителей, что вместе с малой площадью контакта объясняет хорошие частотные свойства, необходимые для работы в области СВЧ. [17]

В маркировке детекторных диодов содержится либо буква Д, либо буква X. Он обладает весьма малой емкостью Ска ( 0 25 пф), что достигнуто применением электродов с малой площадью ( порядка 1 мм2), а это, в свою очередь, привело к уменьшению выпрямленного тока до 0 1 ма. Применяются такие диоды в дециметровом диапазоне волн. [18]

Граничная мощность детекторного диода - это значение мощности, при которой зависимость выпрямленного тока детекторного диода от мощности сигнала отклоняется от линейной на заданное значение при определенном сопротивлении нагрузки. [19]

Выходное сопротивление детекторного диода на видеочастоте гвая представляет собой активную составляющую полного сопротивления детекторного диода на видеочастоте. [20]

Любые типы детекторных диодов, работающие в видеодетекторе, дискриминаторе и дробном детекторе телевизоров, в прин-цнпе, взаимозаменяемы, но с некоторым ухудшением качества изображения или звука, а также надежности работы. Более надежными являются диоды Д1Е, Д2Е, Д2Ж, Д1Ж, так как их обратное напряжение больше, чем у других диодов. Если один из двух диодов вышел из строя в дискриминаторе или в дробном детекторе и заменяется диодом другого типа, то второй ( исправный) диод также подлежит замене, так как дискриминатор или дробный детектор может быть хорошо настроен только при применении однотипных диодов. [21]

Статическая характеристика детекторного диода. [22]

Технологическая особенность детекторных диодов заключается в весьма низкоомном материале базы и очень малом ( 2 - 3 мк) радиусе точечного контакта. Низкое удельное сопротивление базы ( порядка 0 01 - 0 001 ом-см) обусловливает очень малое время жизни носителей, что вместе с малой площадью контакта объясняет хорошие частотные свойства, необходимые для работы в области СВЧ. [23]

В качестве параметров детекторных диодов используют значения чувствительности по току и по напряжению. [24]

К основным параметрам детекторных диодов относятся чувствительность по току р; или напряжению piy, шумовое отношение иш. [25]

В качестве параметров детекторных диодов используют значения чувствительности по току и по напряжению. [26]

Статическая характеристика детекторного диода.| Конструктивные варианты детекторных диодов. [27]

Однако по параметрам вольт-амперной характеристики детекторные диоды значительно уступают высоковольтным точечным диодам ( ркс. Напряжение пробоя у детекторных диодов составляет всего 3 - 5 В, так как при малом удельном сопротивлении базы переход получается очень узким и напряженность поля в нем велика даже при малых напряжениях. Тепловой ток, пропорциональный величине рб ( см. § 2 - 6), весьма мал, но рост обратного тока начинается практически с нуля, так как при очень узком переходе носители проникают через потенциальный барьер вследствие туннельного эффекта. [28]

Схема детектора на СВЧ Сплошным квадратом показан тот же четырехполюсник, что на. [29]

Обычно для характеристики выпрямительных свойств детекторных диодов используют эти два параметра. [30]

Страницы: 1 2 3 4