Интегральный диод

Cтраница 1

Интегральные диоды представляют собой многослойные структуры, характеристики которых определяются схемой включения транзисторной структуры. Определенное влияние оказывают паразитные транзисторы, которые образуются из-за взаимодействия рабочих слоев с подложкой ИМС. В частности, ток утечки диода в подложку определяется током коллектора паразитного транзистора. Из-за наличия тока утечки входной ток интегрального диода всегда отличается от выходного тока. Быстродействие интегрального диода, определяемое зарядными емкостями переходов и временем рассасывания, также зависит от схемы включения. [1]

Схема замещения четырехслойной транзисторной структуры.| Основные диодные включения интегрального транзистора.| Схематическое изображение диффузионного резистора ( а и его схема замещения ( б. [2]

Динамические свойства интегральных диодов оцениваются как известными параметрами, так и дополнительным - емкостью диод - подложка. [3]

Пять диодных схем включения интегрального транзистора. а - структуры диодов. б - полная эквивалентная схема. [4]

Характерное отличие интегрального диода от дискретного заключается в наличии паразитной емкости и паразитного транзистора. Интегральный диод можно рассматривать как трехполюсный прибор, третьим электродом которого служит подложка. Влияние паразитного транзистора, включающего в себя базу, коллектор и подложку, необходимо учитывать при проектировании полупроводниковых ИМС. Так как в полупроводниковой ИМС, изолированной с помощью p - n - перехода, подложка соединяется с наиболее отрицательной точкой схемы, то коллекторный переход паразитного транзистора смещается в прямом направлении. [5]

При обратном смещении интегрального диода необходимо учитывать, что напряжения, прикладываемые к диоду и изолирующему р-л-переходу, не должны превышать пробивных напряжений соответствующих переходов. Максимально допустимое обратное напряжение для вариантов /, / / и IV ограничивается напряжением пробоя перехода эмиттер - база, а для вариантов / / /, V - напряжением пробоя перехода коллектор - база, Напряжение пробоя перехода эмиттер - база обычно составляет 5 - 7 В, перехода коллектор - база - 50 - 60 В и перехода коллектор - подложка - свыше 70 В. К параметрам диода, характеризующим обратную ветвь в.а.х., относится постоянный обратный ток через диод при смещении его в обратном направлении. [6]

В отличие от дискретных диодов интегральные диоды имеют паразитную емкость перехода коллектор - подложка. [7]

При этом имеется возможность получать у интегральных диодов различные параметры. [8]

Схема переключающих цепей на диодах с накоплением заряда ( а и с ускоряющей емкостью ( б. [9]

Кроме того, следует иметь в виду, что характеристики интегральных диодов весьма близки к характеристикам дискретных диодов, в то время как интегральный конденсатор значительно уступает по параметрам дискретному. [10]

На рис. 2.23, а и б показаны пять различных вариантов построения интегральных диодов на основе структуры интегрального эпи-такоиально-планарного транзистора, а также их эквивалентные схемы. [11]

На рис. 2.21, а, б показаны пять различных вариантов построения интегральных диодов на основе структуры интегрального планарно-эпитаксиального транзистора, а также их эквивалентные схемы. [12]

С - некоторая постоянная, зависящая от свойств перехода, используемого для реализации интегрального диода. [13]

Монолитная комбинация тиристора и диода минимизирует индуктивность соединения и улучшает динамические характеристики ключа Структура интегрального диода, образованного р-п - - п - областями, изолируется от основной секции или прорезью, или диффузионным защитным кольцом. Данная мера не позволяет носителям, связанным с диодом, глубоко проникать в тиристорную секцию. [14]

Наименьший температурный дрейф наблюдается для перехода эмиттер - база, который достаточно часто используют в качестве интегрального диода. [15]

Страницы: 1 2