Растущая совокупность
Cтраница 1
Сойершенство растущей совокупности можно значительно увеличить, если использовать текстурированную подложку. Плоскость текстуры подложки, параллельная поверхности подложки, естественно, должна быть такого же типа, как и плоскость собственной текстуры. На такой подложке в благоприятных условиях роста окажется значительно больше участков развивающейся совокупности. [1]
Катодное распыление поверхностного слоя растущей совокупности приводит в первую очередь к замедлению вхождения примесей в состав совокупности через ее поверхность; главным образом это относится к наиболее интенсивно распыляемым элементам. В [13] приведено содержание элементов внедрения ( углерода, азота, кислорода) в вольфраме, полученном при разложении хлоридов вольфрама в тлеющем разряде. При поверхностной плотности потока энергии разряда больше 40 Вт / см2 содержание этих элементов уменьшается примерно в 2 раза по сравнению с безразрядными условиями. [2]
Не рассматривается случай, когда скорость подачи материала к растущей совокупности настолько велика, что одновременно с ростом кристаллов на их гранях образуются новые зародыши, рост которых тормозит рост кристаллов. [3]
Первые два фактора связаны с процессами взаимодействия среды с растущей совокупностью и с процессами в самой среде. Третий фактор независим от первых двух и характеризует энергетическое состояние развивающейся совокупности. [4]
Каким же образом диффузионный поток углерода, проходящий через кристаллы растущей совокупности, может повлиять на закономерности отбора. Для ответа на этот вопрос нужно учесть, что образование карбида происходит интенсивнее в тех областях совокупности, где углерод поступает в больших количествах. Такие области возникают на поверхности тех кристаллов, через которые проходит наибольшее количество углерода. Этот углерод, реагируя на растущей поверхности с атомами металла, приводит к образованию карбида. Эта модель верна при условии, что на поверхность совокупности кристаллов поступает ато-1 мов металла столько, сколько необходимо для образования карбида. Если их поступает больше, то происходит накопление этих атомов и в конце концов на поверхности возникает металлическая фаза ( подробно этот вопрос рассматривается в гл. Такие кристаллы обладают преи - мущесявом в скорости роста перед остальными; они выигрывают отбор. Поскольку в кристаллических решетках диффузионная подвижность атомов в разных направлениях может быть неодинаковой, то в результате отбора по скорости роста в растущей совокупности возникает текстура, ось которой параллельна направлению диффузионного потока. [5]
 |
Эффективный коэффициент распыления S вольфрама при его осаждении из хлоридов вольфрама в тлеющем разряде. [6] |
Одновременность протекания процессов осаждения и распыления при образовании совокупностей кристаллов является специфичным явлением для условий, когда среда ионизована тлеющим разрядом. Следует также иметь в виду, что в результате ионной бомбардировки в кристаллах растущей совокупности возникают локальные пересыщения поверх-ностного слоя дефектами межузельного типа, что должно способствовать возникновению неоднородных упругих напряжений сжатия в совокупности. В свази с этим рост кристаллов происходит в условиях воздействия сжимающих напряжений. [7]
Таким образом, при росте совокупности кристаллов в качестве факторов эволюции должны рассматриваться среда и отбор. В качестве среды выступает и подложка, так как в процессе роста устанавливается динамически целостная система, состоящая из подложки, растущей совокупности кристаллов и питающей эту совокупность среды. Эпитак-сия ( наследственный рост) является одной из форм проявления возди ствия среды на растущую совокупность кристаллов. [8]
Логика выделения собственных текстур из текстур роста дает ответ на вопрос, как и в каких условиях могут быть получены собственные текстуры. Из определения собственной текстуры следует, что для ее получения в совокупности кристаллов необходимо полностью устранить какое-либо взаимодействие ( эпитаксиальное, диффузионное) растущей совокупности с подложкой. [9]
 |
Микроструктура многослойного покрытия из молибдена с текстурами ( 211ПШ ] ( а и ( 111 [ hkl ] ( б. [10] |
Начнем с того, что рассмотрим модель роста совокупности кристаллов, сопровождающегося диффузионным взаимодействием растущих кристаллов с подложкой. Ограничимся простейшим случаем, когда диффузионный поток вещества подложки в растущую совокупность кристаллов неизмеримо больше, чем поток вещества совокупности в подложку. [11]
Логично искать такой признак в той группе признаков, которую еще не использовали. Эта группа признаков характеризует состояние материала подложки и ее взаимодействие с растущей совокупностью кристаллов. [12]
Положение значительно упрощается в связи с тем, что два фактора могут быть объединены в один. Им является собственная текстура. В результате остаются два фактора, один из которых учитывает взаимодействие среды с поверхностью растущей совокупности, другой - взаимодействие подложки ( также среды, йо со стороны, противоположной поверхности роста) с растущей совокупностью. [13]
Таким образом, при росте совокупности кристаллов в качестве факторов эволюции должны рассматриваться среда и отбор. В качестве среды выступает и подложка, так как в процессе роста устанавливается динамически целостная система, состоящая из подложки, растущей совокупности кристаллов и питающей эту совокупность среды. Эпитак-сия ( наследственный рост) является одной из форм проявления возди ствия среды на растущую совокупность кристаллов. [14]
В биологии известны только три фактора эволюции: среда, наследственность и отбор. Причинами же эволюции являются борьба за существование и естественный отбор [ 45, с. Для переноса эволюционных представлений на процессы и закономерности роста совокупностей кристаллов необходимо в первую очередь проанализировать, действуют ли указанные факторы эволюции в растущей совокупности кристаллов. Представляется вполне естественным, что среда и отбор как факторы эволюции должны действовать и в рассматриваемом случае. Что же касается наследственности, то в этом смысле, как это понимается в биологии, она не может использоваться применительно к кристаллам. При росте кристаллов не происходит передачи признаков из одного поколения в другое. Безусловно, такие признаки, как, например, кристаллическая структура, параметр решетки и т.п., сохраняются в разных совокупностях. Однако они не передаются, а именно сохраняются как признак не совокупности, а материала. В результате развитие совокупности кристаллов происходит в условиях отсутствия наследственности как фактора эволюции. Тем не менее в литературе часто употребляется понятие наследственного роста; при этом понимается наследование кристаллом или совокупностью кристаллов кристаллографической ориентации материала подложки, т.е. авто - или гетероэпитаксия. В этом случае наследуется признак подложки, который не может быть отнесен к категории наследственных. [15]
Страницы: 1 2