Обычный диод

Cтраница 1

Обычные диоды, триоды и другие лампы для средних и коротких волн, как правило, работают неудовлетворительно на Свч, что объясняется несколькими причинами Междуэлектродные емкости и индуктивности выводов оказывают сильное влияние на работу ламп в диапазоне свч. Они изменяют параметры колебательных систем, подключенных к лампе, в результате чего понижается максимальная частота настройки этих систем. [1]

От обычных диодов варикапы отличаются только лучшими емкостными параметрами и характеристиками. [2]

Помимо обычных диодов с одним анодом, широкое применение имеют двойные диоды, представляющие собой два диода, смонтированных в одном баллоне ( фиг. [3]

В обычных диодах пробой является нежелательным эффектом, так как он ограничивает напряжение, которое можно приложить к диоду. Для повышения напряжения пробоя приходится использовать более высокоомный материал. Как видно из кривых рис. 54 и 55, Ub растет с увеличением концентрации основных носителей почти линейно. [4]

В обычных диодах в предпробойной области, когда небольшое увеличение напряжения на самом р - га-переходе вызывает быстрый рост тока, все избыточное напряжение падает на менее легированной области и именно ее сопротивление определяет наклон вольтамперных характеристик при больших запирающих напряжениях. [5]

В обычных диодах и лампах с сеточным управлением оролетные эффекты нежелательны и должны быть по возможности устранены. Однако принцип действия других ламп СВЧ основан именно на этих явлениях. [6]

В обычных диодах величина г3 невелика и Q не превышает единицы, вследствие чего они практического применения в качестве индуктивностей не находят. [7]

В обычных диодах, имеющих концентрацию примеси в менее легированной области не выше 10 см-3, толщина электронно-дырочного перехода сравнительно велика и вероятность туннельного перехода электронов через потенциальный барьер ничтожно мала. В этих условиях вероятность туннельного перехода электронов через потенциальный барьер оказывается значительной, что и приводит к своеобразному виду характеристики диода. [8]

Ограничители с последовательным включением диода. а, б схемы. в графики, поясняющие их работу. [9]

Вольтамперная характеристика обычного диода показана на рис. 3.14 сплошной линией. Как видно из характеристики ( рис. 3.14 в), при больших обратных напряжениях на диоде ( порядка 50 - М 00 в) может возникнуть резкое увеличение обратного типа - пробой, что ограничивает допустимую величину входного напряжения. [10]

Последовательное включение обычного диода VDt, для которого отпирающий импульс имеет обратное направление, увеличивает входное сопротивление устройств. При переключении динистора в проводящее состояние обычный диод не препятствует прохождению тока через нагрузку. Такой диод выбирается по допустимому обратному напряжению в зависимости от амплитуды входных импульсов f / вх. [11]

В некоторых конструкциях обычных диодов для увеличения обратного напряжения между р - и n - областями оставляют тонкий слой с собственной проводимостью, такой, чтобы область объемного заряда распространялась на весь этот слой. Такие диоды при высокой проводимости п - и jo - обла-стей имеют высокие пробойные напряжения, так как толщина р-п-пере-хода в них определяется толщиной i-слоя и может быть сделана сравнительно большой, ибо концентрация носителей в г - слое мала. Так как г - слой у них значительно тоньше, чем в мощных диодах, то рекомбина-ционный ток в таких диодах, связанный с рекомбинацией и генерацией в самом р - - переходе, относительно мал и сказывается лишь при обратных напряжениях. [12]

Например, в обычных диодах, применяемых на волнах от 10 до 20 см, часто возникают вредные резонансные явления. Поэтому для сантиметрового диапазона имеются диоды специальной конструкции. В них собственные емкости и индуктивности значительно уменьшены или же вредное влияние этих реактивностей уменьшено применением коаксиальной конструкции. [14]

Структурная схема тиристорного возбуждения турбогенератора ТГВ-300. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5