Очень хорошее совпадение
Cтраница 1
Очень хорошее совпадение между наблюдаемыми значениями и предсказанными для случая Б3 указывает на то, что именно этот вариант реализуется в действительности. [1]
Очень хорошее совпадение значений энергии решетки, вычисленных из известных теплот образования и других величин при помощи цикла Борна и определенных в предположении чисто ионной структуры, дает существенное подтверждение того, что дифториды переходных металлов обладают преимущественно свойствами ионных соединений. Точные значения энергии решетки для три - и тетрафторидов, к сожалению, отсутствуют, а термохимические данные для этих соединений весьма скудны. [2]
Наблюдается очень хорошее совпадение между величинами критической температурь. В табл. 44 приводятся некоторые данные по критическим температурам нефтяных продуктов. [3]
Получено очень хорошее совпадение между рэксп и Ртеор Для всех толщин на протяжении почти четырех порядков тока. [4]
Учитывая очень хорошее совпадение результатов расчета А Я298 гидросульфоалюмината кальция при использовании принципа структурной аналогии с экспериментальными данными Бермана и Ньюмена, мы сочли возможным этот способ применить для оценки АЯ298 его моносульфатной ( формы. [5]
 |
Схема определения в исследуемых образцах содержания радиоактивного изотопа 14С. [6] |
Было получено очень хорошее совпадение данных. [7]
Произведенная оценка дает очень хорошее совпадение с результатами, полученными из опыта ( см. таблицу), что лишний раз подтверждает справедливость использования соотношения ( 4) для туннельных диодов. [8]
Важной особенностью является очень хорошее совпадение ВАХ а-р-и - диода и ДМП, имеющих прямое напряжение намного меньшее, чем у диода с р-и-переходом. Таким образом, за счет использования пленки аморфного сплава Si-Ge - В в качестве электродного контакта получен идеальный р-и-переход, работающий с малым рассеиванием мощности. [10]
Важной особенностью является очень хорошее совпадение ВАХ а-р-и - диода и ДМП, имеющих прямое напряжение намного меньшее, чем у диода с р-и-переходом. Таким образом, за счет использования пленки аморфного сплава Si-Ge - В в качестве электродного контакта получен идеальный р-и-переход, работающий с малым рассеиванием мощности. [12]
При в общем очень хорошем совпадении опытных и расчетных значений дипольных моментов обращал на себя внимание один неожиданный результат, противоречащий принятой расчетной модели. А именно: значение V0 оказалось для дибрсшэтана ] выше, чем для дихлорэтана, хотя, на первый взгляд, должно быть наоборот, поскольку дипольный момент связи С - С1 больше, чем связи С-Вг. Этот результат наталкивал на мысль, что на высоту потенциального барьера оказывает влияние не только электростатистическое взаимодействие диполей связей С-X, но и некоторые другие силы, а это ставило более широкий вопрос о природе тормозящего потенциала в производных этана. [13]
В этом случае также найдено очень хорошее совпадение между распределением углерода, вычисленным для отдельных фракций и экспериментально найденным для исходного масла. [14]
Во многих случаях уравнение (11.104) дает очень хорошее совпадение с экспериментом при разумном выборе значения а вне зависимости от концентрации. [15]
Страницы: 1 2 3 4