Кремниевый туннельный диод

Cтраница 1

Кремниевые туннельные диоды изготовляются путем сплавления кремния с высоким содержанием примеси Р, As и Sb с алюминием, обогащенным бором. [1]

Кремниевые туннельные диоды со сколько-нибудь удовлетворительными характеристиками пока получить не удается. [2]

Кроме того, кремниевые туннельные диоды обладают высокой температурной стабильностью и могут надежно работать в широком интервале температур окружающей среды. [3]

Изменение характеристик возрастание избыточного кремниевого туннельного диода тока наблюдается при об - при введении золота ( Т 300 К), лучении прибора быстрыми электронами, причем ток растет пропорционально времени облучения. Эти эксперименты, а также теоретические оценки, свидетельствуют о том, что избыточные токи вызываются туннельными переходами через примесные уровни. [4]

Зависимость тока максимума It и тока минимума / 2 германиевого туннельного диода от величины интегрального потока нейтронов.| Вольтампсрные характеристики кремниевого туннельного диода после облучения нейтронами. [5]

Эксперимент [2] с кремниевыми туннельными диодами показал, что они на порядок менее стойкие к воздей ствию радиации, чем германиевые. [6]

Нейтронное облучение также сильнее влияет на кремниевые туннельные диоды, чем на диоды из GaAs. Диоды из GaAs несколько уступают по радиационной стойкости туннельным диодам из германия, особенно диодам на основе / лгермания. [7]

Вольтамперная характеристика туннельного диода, рассчитанная по. [8]

Заметим, что измерения, проведенные на германиевых и кремниевых туннельных диодах, показывают, что емкость С практически не уменьшается с увеличением степени легирования п - и / ( - областей. Величина рпр, определенная из С по (32.18), примерно равна величине % g, полученной из измерений на слабо легированных образцах, несмотря на то, что ] iN Щ1Р менялись в довольно широких пределах. [9]

Избыточный ток изучали Мейерхофер и др. [19] в вырожденных германиевых переходах, Чиновет и др. l [7] - в кремниевых туннельных диодах; Кейн [16] рассмотрел теорию избыточного тока в туннельных переходах. [10]

Типовой максимальный ток этих диодов равнялся 16 ма, а минимальный 4 ма. Отношение этих токов 4: 1 следует считать типичным для кремниевых туннельных диодов. [11]

Наиболее радиационно-стойким являются диоды на основе p - Ge и несколько хуже арсенид-галлиевые. Кремниевые диоды уступают арсенид-галлиевым и на 1 - 2 порядка хуже германиевых. На рис. 5.3, а приведены прямая ветвь ВАХ кремниевого туннельного диода после облучения нейтронами, а на рис. 15.3 6 - аналогичные изменения прямой ветви ВАХ арсенид-галлиевого диода при р-облучении. [12]

Страницы: 1