Cтраница 1
Содержание теллура определяется по разности; 100 минус сумма определяемых примесей. [1]
Содержание теллура, серы, железа и тяя. [2]
Содержание теллура вычисляют по формуле, приведенной в разд. [3]
Содержание теллура в них незначительное. [4]
При содержании теллура 0 02 - 0 01 % отбирают 5 мл раствора из мерной колбы, прибавляют 8 мл насыщенного раствора бромида калия, 0 5 мл аскорбиновой кислоты, перемешивают, прибавляют 3 мл бромистоводородной кислоты, 1 мл 1 % - ного раствора диантипирилпропилметана и 5 мл дихлорэтана; встряхивают смесь в течение 1 мин. [5]
При содержании теллура в 1 5 - 3 раза выше содержания селена последний определяют из отдельной навески, как описано ниже. [6]
С повышением содержания теллура отмечено увеличение содержания вторичного цементита и эвтектики тонкого строения. [7]
С увеличением содержания теллура зеркально гладкая поверхность слоя сменяется гребенчатым рельефом с выраженной огранкой отдельных гробнеп. Одновременно уменьшается скорость роста. Применив метод непрерывного взвешивания, нам удалось в ходе проведения одного процесса установить зависимость скорости роста опитаксиального арсенида галлия от парциального давления теллура. Как видно из рис. 2, при концентрации Те выше 10 - 8атм рост слоя практически прекращается, а максимальный уровень легирования поэтому в соответствии с рис. 1 не превышает 1 - Ю19 см-3. Торможение роста теллуром вполне обратимо, и при снижении концентрации теллура скорость роста вновь возрастает до соответствующей величины. Этим полученный результат отличается от наблюдавшегося в работе [1] необратимого торможения роста слоя кремния добавками арсина. [8]
![]() |
Подпрограммы цинка в присутствии пятикратного избытка никеля и стократного - кобальта. [9] |
При получении трудноизмеримого пика ( содержание теллура в 100 мл менее 0 01 мг) делают две добавки стандартного раствора. Например, в колбы емкостью 25 мл помещают 0 004 и 0 008 мг теллура и доводят до метки анализируемым раствором. [10]
Однако эта концентрация значительно выше содержания теллура в большинстве силикатных пород. [11]
Температура размягчения снижается с ростом содержания теллура и повышается с ростом содержания кремния. Температуры размягчения стекол одинаковых составов в системах As-Si - Те и As-Ge - Те имеют близкие значения. [12]
![]() |
Температурная зависимость электропроводности стекла. [13] |
Электропроводность последовательно повышается с увеличением содержания теллура, снижается с увеличением содержания кремния. [14]
Приведенные выше данные показывают, что содержание теллура в катодном металле, полученном при электролизе с катионообмен-ной мембраной, гораздо ниже, чем в металле, полученном при работе с тканевыми диафрагмами. Это обстоятельство выгодно отличает исследованный нами процесс от существующего технологического процесса. Таким образом, можно производить рафинирование чернового серебра с высоким содержанием теллура и платиноидов в одну стадию, а также практически полностью извлекать элементы платиновой группы. При этом расходы на переработку серебра снижаются в два раза. [15]