Относительное содержание

Cтраница 1

Дипольные моменты ряда монозамещенных бензола Ph-Y. [1]

Относительное содержание о -, м - и - изомеров, образующихся при реакции электрофильного замещения, зависит от природы уже имеющегося в ароматическом кольце заместителя. [2]

Относительное содержание в хромосомах различных компонентов варьирует в зависимости от источника их получения. В хромосомах печени содержится всего 45 % нуклеогистона, тогда как хромосомы лимфоцитов на 90 % состоят из него. [3]

Относительное содержание одного из компонентов в насыщенных парах в том случае превышает его относительное содержание в растворе, если единица массы раствора содержит меньшее количество этого тела, чем необходимо для образования нераздельно кипящей смеси данной температуры. Положение это есть прямое следствие закона Коновалова. [4]

Относительное содержание одного из компонентов в насыщенных парах в том случае превышает его относительное содержание в растворе, если единица массы раствора содержит большее количество этого тела, чем необходимо для образования нераздельно кипящей смеси данной температуры. [5]

Относительное содержание этих углеводородов в исследуемых продуктах аависит от молекулярной массы олефинового сырья подвергаемого полимеризации. [6]

Относительное содержание цианидного и цинкатного комплексов цинка зависит от концентраций свободных цианида и щелочи, количество которых учесть раздельно в цинковом электролите очень трудно, так как нет метода, который позволил бы достаточно точно установить соотношение комплексных солей цинка ( цинката и цианида) в растворе. [7]

Кривые выхода ионов для молекулярного иона М и осколочного иона F. [8]

Относительное содержание образующихся осколочных ионов зависит от энергии возбуждения молекулярных ионов и, следовательно, от энергии бомбардирующих электронов. [9]

Относительное содержание их в составе органического вещества варьирует от долей процента до десятков процентов в зависимости от типа осадка и ряда других факторов. Как известно, гуминовые кислоты играют важную роль в механизме миграции элементов в земной коре, образуя прочные органоминеральные соединения. [10]

Относительное содержание второй модификации графита может изменяться при механической и химической обработках, указывая на то, что эти изменения получаются за счет смещения слоев углеродной сетки друг относительно друга. [11]

Относительное содержание цианистого и цинкатного комплексов цинка зависит от концентраций цианида и щелочи. Однако количество цианида и щелочи, связанных отдельно с цинком и присутствующих в свободной форме в электролите, учесть очень трудно из-за отсутствия соответствующего метода контроля. [12]

Относительное содержание каждого из них в пленке зависит от способа оксидирования, однако в любом случае внутренние слои этой пленки более богаты закисью железа, а поверхностные слои - окисью железа. Слой окислов, состоящий рз закиси железа FeO, имеет толщину около 0 01 мм, промежуточный слой магнитной окиси железа Fe3O4 - около 0 002 мм, наружный слой защитной пленки ( окись железа Fe2O3) - около 0 0002 мм. Практически толщина окис-ного слоя в целом может колебаться от сотых долей микрона до 10 мк и более. [13]

Относительное содержание их в пленке зависит от способа оксидирования. Установлено, что при любом способе образования защитной пленки окислов на железе, внутренние слои этой пленки более богаты закисью железа, а поверхностные слои-окисью железа. Так, в защитной окисной пленке было установлено, что слой окислов, граничащий с поверхностью основного металла, представляет закись железа FeO и имеет толщину около 0 01 мм. [14]

Относительное содержание каждого из них в пленке зависит от способа оксидирования, однако в любом случае внутренние слои этой пленки более богаты закисью железа, а поверхностные слои - окисью железа. Слой окислов, состоящий из закиси железа FeO, имеет толщину около 0 01 мм, промежуточный слой магнитной окиси железа Fe3O4 - около 0 002 мм; наружный слой защитной пленки ( окись железа Fe2O3) - около 0 0002-мм. Практически толщина окисного слоя в целом может колебаться от сотых долей микрона до 10 ц и более. [15]

Страницы: 1 2 3 4