Высокое содержание - примесь - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
В истоке каждой ошибки, за которую вы ругаете компьютер, вы найдете, по меньшей мере, две человеческие ошибки, включая саму ругань. Законы Мерфи (еще...)

Высокое содержание - примесь

Cтраница 1


Высокое содержание примесей в кислоте, в частности соединений магния, вызывает увеличение вязкости фосфорной кислоты, что лимитирует верхний предел концентрации F Os в упаренной кислоте.  [1]

В случае высоких содержаний примеси железа ( при отношениях Fe2O3 к АЦОз более 2) его влияние устраняют добавлением аскорбиновой кислоты, образующей с ионами Fe ( III) комплексы, не влияющие на ход определения. Влияние титана устраняют введением фосфорной кислоты, а мешающее действие последней-совокупностью приемов: созданием высокого фосфатного фона, увеличением количества добавляемого реагента ( хро-мазурола S) по сравнению с общеизвестными методиками, применением дифференциального метода измерения оптической плотности. Определению не мешают 2500 -, 3000 -, 2500 -, 2-кратные количества фосфат-ионов, кальция, магния, фторид-ионов соответственно.  [2]

В случае высоких содержаний примеси железа ( при от-ношениях Ре20з к А120з более 2) его влияние устраняют добавлением аскорбиновой кислоты, образующем с ионами Fe ( III) комплексы, не влияющие на ход определения. Влияние титана устраняют введением фосфорной кислоты, а мешающее действие последней - совокупностью приемов: созданием высокого фосфатного фона, увеличением количества добавляемого реагента ( хро-мазурола S) по сравнению с общеизвестными методиками, применением дифференциального метода измерения оптической плотности. Определению не мешают 2500 -, 3000 -, 2500 -, 2-кратные количества фосфат-ионов, кальция, магния, фторид-ионов соответственно.  [3]

В случае высоких содержаний примеси железа ( при отношениях Рв203 к АЬОз более 2) его влияние устраняют добавлением аскорбиновой кислоты, образующей с ионами Fe ( III) комплексы, не влияющие на ход определения. Влияние титана устраняют введением фосфорной кислоты.  [4]

Ил характеризуется высоким содержанием примесей песчаных и глинистых частиц, малой плотностью, высокой естественной влажностью, высокой пластичностью и водонасыщенностью, низкими параметрами прочности, повышенной и сильной сжимаемостью. Аллювиальные отложения в основании обводнены. Наиболее обводнен русловой галечниковый аллювиальный комплекс.  [5]

Полупроводники с таким высоким содержанием примесей называются вырожденными, а их свойства очень близки к свойствам металлов.  [6]

7 Зависимость подвижности носителей заряда от температуры в примесном полупроводнике.| Зависимость удельной электропроводности невырожденного примесного полупроводника от температуры. [7]

В полупроводниках с высоким содержанием примеси в области низких температур проявляется специфический механизм проводимости, получивший название проводимости по примесной зоне.  [8]

9 Энергетическая диаграмма ( а и вольт-амперная характеристика ( б р - n - перехода с туннельным эффектом. [9]

Полупроводники с таким высоким содержанием примесей называются вырожденными, а их свойства очень близки к свойствам металлов.  [10]

11 Уровень Ферми в полупроводниках. а - до контакта о полупроводнике n - типа. б - до контакта в полупроводнике р-тшта. в - после контакта. [11]

В электронном полупроводнике с высоким содержанием примесей при их концентрации порядка 1019 см-3 уровень Ферми располагается очень близко ко дну зоны проводимости.  [12]

В связи с таким высоким содержанием примесей и трудностью отделения а-аминокислот от галоидных солей аммония нами была применена комбинированная схема очистки, заключающаяся в следующем.  [13]

В электронном полупроводнике с высоким содержанием примесей при их концентрации порядка 1019 CM-S ( на границе вырождения) уровень Ферми будет лежать очень близко ко дну зоны проводимости.  [14]

Хотя после удаления конечного участка с высоким содержанием примесей концентрация примесей в образце стала ниже по сравнению с первоначальной, все-таки имеется значительный градиент концентрации вдоль образца.  [15]



Страницы:      1    2    3    4