Соединение - элемент - побочная подгруппа
Cтраница 1
Соединения элементов побочных подгрупп I и II групп периодической системы ( в первую очередь, окиси меди и цинка) обладают заметным каталитическим эффектом в реакциях дегидрирования углеводородов и, в особенности, при дегидрировании алкильных боковых цепей. [1]
Из соединений элементов побочной подгруппы второй группы активен хлористый цинк с добавками соляной кислоты или хлористого алюминия. [2]
Какой характер связи преобладает в соединениях элементов побочных подгрупп при участии в ее образовании: 1) только s - электронов; 2) х - и d - элект-ронов. [3]
Продукты гидролиза соединений элементов подгруппы титана отличаются от продуктов гидролиза соединений элементов побочной подгруппы III группы, имеющих амфотерный или основной характер. [4]
Если прямые на графиках С7П - U и U - АН для соединений металлов основных подгрупп располагаются в последовательности, отвечающей возрастающим зарядам ядер, причем при продолжении прямых они сходятся примерно в одной точке, то для соединений элементов побочных подгрупп этих закономерностей не наблюдается. [5]
В целом металлическая проводимость уменьшается в следующей последовательности: металлкарбиднитридборид. К этой группе относятся соединения элементов побочных подгрупп четвертой, пятой и шестой групп периодической системы. [6]
Показатель преломления пленок из окислов элементов IV группы меняется в значительно более широких пределах - от 1 44 до 2 3, причем совершенно закономерно по мере увеличения порядкового номера элемента: в главной подгруппе - растет, а в побочной уменьшается. По оптическим и некоторым другим свойствам пленки ZrO2, HfO2 и ThO2 значительно более сходны между собой, чем со свойствами ТЮ2, что вполне соответствует общей закономерности свойств соединений элементов побочных подгрупп периодической системы соответственно их электронной структуре. [7]
Совершенно аналогичные положения справедливы для неорганических молекул. Таким образом заполнены МО у некоторых простых молекул, например в молекуле кислорода, а также у нитренов и метилена. В ряду соединений элементов побочных подгрупп, например комплексов металлов, в образовании связей участвуют rf - орбитали. Определенное число d - электро-нов находится на несвязывающих или низкоэнергетических разрыхляющих МО, которые частично орбитально вырождены или мало различаются по энергии. Согласно правилу Гунда такие орбитали могут заполняться электронами по одному, причем суммарный спин иона не обязательно должен быть минимальным. В соответствии с числом неспаренных d - электронов центрального иона и электронодонорной способностью лигандов вклады в суммарный спин комплексной молекулы могут различаться, причем наблюдается большее разнообразие состояний по спиновой мульти-плетности, чем у простых молекул. [8]
Кислородные ионы в соединении ИОН так сильно поляризованы, что не только располагаются слоямв без непосредственного взаимодействия с ионами лития, но даже два слоя, образовав ные ионами кислорода или гидроксила, располагаются один за другим. Так как возникновение слоистых решеток связано с сильной поляризацией, то такие структуры образуются главным образом у соединений, в которых катион не обладает строением инертного газа. Они присущи преимущественно соединениям элементов побочных подгрупп периодической системы, но встречаются и в главных подгруппах ( например. [9]
Электронные оболочки отрицательных ионов деформируются под действием сил положительных ионов, и тем сильнее, чем меньте радиус и чем больше заряд положительных ионов. Ионы с конфигурацией инертного газа проявляют меньшее деформирующее влияние, чем остальные ионы. Поэтому влияние деформации в общем случае становится особенно сильным в соединениях элементов побочных подгрупп. [10]
Электронные оболочки отрицательных ионов деформируются под действием сил положительных ионов, и тем сильнее, чем меньше радиус и чем больше заряд положительных ионрв. Ионы с конфигурацией инертного газа проявляют меньшее деформирующее влияние, чем остальные ионы. Поэтому влияние деформации в общем случае становится особенно сильным в соединениях элементов побочных подгрупп. [11]
Электронные оболочки отрицательных; ионов деформируются под действием сил положительных ионов, и тем сильнее, чем меньше радиус и чем больше заряд положительных ионов. Далее, отрицательные ионы деформируются тем сильнее, чем они больше; например, ион S2 - деформируется сильнее, чем ион 02 -, Ионы с конфигурацией инертного газа проявляют меньшее деформирующее влияние, чем остальные ионы. Поэтому влияние деформации в общем случае становится особенно сильным в соединениях элементов побочных подгрупп. [12]
На поляризующее действие положительно заряженного иона оказывает также влияние структура его внешнего квантового слоя. Эффект поляризации усиливается при переходе от 8 электронов к 18 электронам в наружном слое. Так, соединения элементов главной подгруппы I группы с иодом устойчивы, а соединения элементов побочной подгруппы той же группы ( CuJ, AgJ) вследствие взаимной поляризации ионов неустойчивы и легко разлагаются. [13]
 |
Электронные конфигурации атомов и ионов элементов VI группы. [14] |
Подобная близость свойств объясняется тем, что в высшей степени окисления атом элемента, находящегося в третьем периоде ( в главной подгруппе) и атомы элементов побочной подгруппы приобретают сходное электронное строение. Когда хром находится в степени окисления 6 ( например, в оксиде СгОз), шесть электронов его атома ( пять 3d - и один 4з - электрон) вместе с валентными электронами соседних атомов ( в случае СгОз - атомов кислорода) образуют общие электронные пары, осуществляющие химические связи. Остальные электроны, непосредственно не участвующие в образовании связей, имеют конфигурацию Is22s p63s2p6, отвечающую электронной структуре благородного газа. Аналогично у атома серы, находящегося в степени окисления 6 ( например, в триокси-де серы 80з), шесть электронов участвуют в образовании ковалентных связей, а конфигурация остальных ( Is22s2p6) также соответствует электронной структуре благородного газа. Короче говоря, сходство в свойствах соединений элементов побочной подгруппы и элемента третьего периода той же группы обусловлено тем, что их ионы, отвечающие высшим степеням окисления, являются электронными аналогами. [15]
Страницы: 1