Полупроводниковое химическое соединение
Cтраница 1
Полупроводниковые химические соединения, соответствующие общим формулам, составлены из элементов различных групп таблицы Д. И. Менделеева, например: ( AIVBIV-SiC; AIIIBV - GaAs; InSb; AnBVI - CdS; SnSe), а также из некоторых оксидов ( например, Cu2O) и веществ сложного состава. [1]
Из полупроводниковых химических соединений следует указать еще на оксиды, сульфиды, селениды, теллуриды, дальтониды. [2]
Под примесями в полупроводниковых химических соединениях понимают не только включения атомов посторонних элементов, но и избыточные по стехнеметрическому составу атомы тех самых элементов, которые входят в химическую формулу самого соединения. [3]
Полупроводниковые материалы подразделяют на простые полупроводники, полупроводниковые химические соединения и многофазные полупроводниковые материалы. [4]
 |
Элементы - электронные полупроводники. [5] |
Применяемые в практике полупроводниковые материалы могут быть подразделены на полупроводниковые элементы, полупроводниковые химические соединения и сплавы, полупроводниковые комплексы ( керамические полупроводники), а также стеклообразные и жидкие полупроводники. [6]
Все модификации фосфора обнаруживают фотопроводимость. Фосфор входит в качестве компонента в полупроводниковые химические соединения. [7]
 |
Основные характеристики материалов A BV для фотоприемников. [8] |
При изготовлении монокристаллов соединений AlnBv основной является операция синтеза. Под синтезом понимают химическую реакцию, в ходе которой из исходных веществ образуется полупроводниковое химическое соединение. В зависимости от состояния исходных веществ методы синтеза подразделяют на прямые и косвенные. При прямом синтезе исходные вещества являются компонентами синтезируемого соединения. При косвенном синтезе хотя бы одно из исходных веществ представляет собой химическое соединение. Синтезируемый материал выделяется при прямом синтезе обычно в результате процесса направленной кристаллизации расплава, позволяющего получать конечный продукт в виде крупных объемных кристаллов. В методах косвенного синтеза широко используются газотранспортные реакции, лежащие в основе получения эпитаксиальных слоев. [9]
Биполярные транзисторы, рассмотренные нами в разделе 3.2, и МОП-транзисторы, описанные в разделе 3.3, являются основными функциональными элементами кремниевых СБИС. Для повышения быстродействия БИС в настоящее время ведутся исследования и разработки по созданию интегральных схем на основе полупроводниковых химических соединений. Эти исследования находятся пока в стадии опытного производства в лабораторных условиях. МОП-транзисторы в БИС на GaAs практически не используются, так как на поверхности кристалла GaAs трудно сформировать изоляционный слой с хорошими электрофизическими параметрами. Кроме ЗШП-транзисторов в схемах на GaAs используют также полевые транзисторы, у которых затвором служит pn - переход. Технология изготовления ЗШП-транзисторов очень проста. Поэтому такие приборы обладают высокой надежностью при низком уровне шума, и их используют в качестве усилительных СВЧ-эле-ментов в очень широком частотном диапазоне, не достижимом для кремниевых биполярных транзисторов. [10]
В третьем издании справочника приводятся сведения о магнитных материалах, металлических проводниках электрического тока, растворах электролитов, полупроводниках и управляемых диэлектриках. Расширены разделы, относящиеся к таким материалам, как магнитные монокристаллы и аморфные магнетики, активные вещества твердотельных лазеров, сверхпроводники, электролюминофоры, электреты, полупроводниковые химические соединения. [11]
Страницы: 1