Cтраница 4
Методы синтеза, основанные на реакциях таких видов, универсальны и обычно не предъявляют жестких требований к природе и месту расположения заместителей в молекулах конденсируемых соединений. В тех случаях, когда реакция конденсации проходит в отсутствие темплатного иона, размер цикла синтезируемого соединения также не ограничивается. [46]
Однако помимо той, иногда действительно ключевой роли, которую играет синтез при решении задач установления строения, у него есть еще другая, менее очевидная, но более общая и, пожалуй, более важная функция. Дело в том, что синтетическое исследование само по себе является наиболее мощным инструментом активного познания химии синтезируемых соединений. [47]
Реакции диффузионного взаимодействия используют в технологии полупроводниковых соединений крайне редко. Обычно их применяют для изготовления деталей термоэлектрических устройств - ветвей термоэлементов, которые получают горячим прессованием смеси порошков компонентов синтезируемого соединения с последующей термообработкой изделия. [48]
![]() |
Зависимость вязкости расплава Sb. A1 - 1. 1, атом от продолжительности выдержки при температурах, С. [49] |
Из приведенных на рис. 3.9 графиков следует, что продолжительность синтеза соединения, определяемая по достижении расплавом постоянного значения вязкости, тем меньше, чем выше перегрев расплава. Однако он увеличивает взаимодействие расплава с окружающей средой ( атмосферой, контейнером или покровным флюсом), что повышает загрязнение расплава синтезируемого соединения неконтролируемыми примесями. [50]
Вопросы синтеза индивидуальных соединений и создания новых материалов легче всего решаются, если использовать предварительно построенную равновесную диаграмму состояния. Если же, кроме того, построены и диаграммы состав-свойство соответствующей системы в достаточно широком диапазоне изменения факторов равновесия, то можно предвидеть и свойства синтезируемых соединений и материалов. [51]
Эпитаксиальное осаждение из газовой фазы с использованием различных химических реакций является основным направлением в технологии изготовления полупроводниковых приборов и микросхем. Как правило, используют проточные реакторы, в которых газом-носителем служит очищенный водород, а транспортирующими агентами являются хлориды или ковалентные гидриды элементов, входящих в состав синтезируемого соединения. Выбор этих реагентов во многом определяется их малой реакционной способностью по отношению к конструкционным материалам и возможностью глубокой очистки различными физическими и химическими методами. [52]