Тройное соединение - тип
Cтраница 1
Тройные соединения типа AlxGai As и Zn Cdj XS дают дополнительную степень свободы в выборе ширины запрещенной зоны или постоянной решетки. Четверные соединения типа AlxGa1 xAsyPl y и CuxIn1 xSeyTe1 y представляют две степени свободы и в принципе позволяют одновременно подобрать оптимальные ширину запрещенной зоны и параметр кристаллической решетки. Конечно, цена этих степеней свободы - дополнительное усложнение системы. [1]
Образование тройных соединений типа аммониевых солей создает иногда новые возможности экстракционно-фотометрических методов. [2]
Оказалось, что тройные соединения типа А2В С5г благодаря особенностям своего зонного спектра могут иметь прямые переходы и гори гораздо больших значениях ширины запрещенной зоны. Теоретические предпосылки сейчас проверяются экспериментально. [3]
Полученные данные по температурной зависимости теплоемкости ряда тройных соединений типа А2В4СГ2 и сравнение их с аналогичными данными для бинарных соединений в совокупности с данными по тепловому расширению и упругим свойствам тройных соединений [8] показывают, что фононный спектр тройных полупроводников имеет черты сходства со спектром элементарных и бинарных тетраэдрических полупроводников. Можно полагать, что это обусловлено общностью кристаллической структуры в пределах семейства алма-зоподобных полупроводников и заметным преобладанием в них ковалентной составляющей сил межатомной связи. На это же указывает и факт малой величины параметра ангармоничности Грюнайзена. [4]
Потенциально плодотворным разделом химии гидридов яв - Оузяется химия твердых тройных соединений типа ММ НЖ, где М - переходный металл, а М - любой металл. Ковалентные или металлоподобные фазы образуются в тех случаях, когда М - переходный или другой менее электроположительный металл. В литературе сообщалось о получении нескольких тройных гидридов с металлическими свойствами, но имеющиеся в этом направлении возможности не исчерпаны пока достаточно полно. [5]
Ближайшими электронными аналогами наиболее исследованных бинарных полупроводников типа А3В5 являются тройные соединения типа А2В4С52, которые и были объектом настоящего исследования. Следует отметить, что между соединениями А3В5 и А2В4СГ 2 имеется и определенное различие, заключающееся в том, что тройные соединения кристаллизуются, в основном, в тетрагональной решетке типа халькопирита, тогда как бинарные - обладают кубической решеткой типа сфалерита. Другим обстоятельством, отличающим тройные соединения от бинарных, является усложнение состава, но можно предположить, что это обстоятельство играет менее существенную роль, как следует из сопоставления свойств элементарных ( А4) и бинарных тетраэдрическнх кристаллов. [6]
Заметные изменения мольных объемов происходят и при ФП под давлением в тройных соединениях типа А ВтОр. В табл. 107 приведены физические и структурные характеристики полиморфных модификаций ряда минералов. [7]
В других группах эти сочетания иные. Например, в тройных соединениях типа А2В4С, если судить по веществу CdSnAsz ( см. разд. [8]
В других группах эти сочетания иные. Например, в тройных соединениях типа А2В4С, если судить по веществу CdSnAs2 ( см. разд. [9]
Тройных соединений, на существование которых указывалось ранее [20], нами не обнаружено. Это совпадает с результатами работы [19], показывающей, что тройных соединений типа 2СаО MgO Fe2O3 или СаО MgO Fe2O3 в системе СаО - MgO - Fe2O3 не образуется. [11]
В литературе нет сведений относительно взаимодействия циркона с окислами щелочно-земельных элементов в гидротермальных условиях. Учитывая данные Мориса I1 ], можно было предполагать, что циркон при этом должен разрушаться с образованием тройных соединений типа цирконосиликатов. Еще более интересные результаты могут быть получены при изучении взаимодействия циркона с растворами гидроокисей щелочно-земельных элементов. [12]
В настоящее время наша промышленность выпускает большое число полупроводниковых соединений различных типов. Кроме соединений AinBv, AHBVI и AIVBVI, организовано производство халькогенидов свинца, олова, германия для фотоприемпиков, чувствительных к различному диапазону спектра, и халькогенидов сурьмы и висмута - для термоэлементов. Большое перспективное значение имеют тройные соединения типа AnBIVCv, стеклообразные полупроводники, которые были разработаны в Институте общей и неорганической химии им. [13]
Подтвердилось предположение Мори90, согласно которому вода полностью разлагает силикатные стекла, в результате чего образуются новые фазы, устойчивые в гидротермальных условиях. Предположение об образовании в гидротермальных условиях нового тройного соединения типа К2О РЬО 2SiO2 не подтвердилось, так как это соединение, полученное синтетически, не было идентичным гидротермальным продуктам. Мори и Боуэн подвергали также трубки, изготовленные из различных промышленных стекол, действию водяного пара при высоких температурах и давлениях. [14]
В настоящее время фоторезисторы изготавливаются на основе полупроводниковых материалов, обладающих как собственной, так и примесной фотопроводимостью. К первой группе следует отнести фоторезисторы на основе соединений свинца ( PbSe, PbS. В последнее время стали разрабатываться фоторезисторы на основе тройных соединений типа HgCdTe, PbSnTe, представляющие собой твердые растворы двух компонент ( HgTe и CdTe, PbTe и SnTe), у которых область спектральной чувствительности может изменяться в широких пределах в зависимости от количественного содержания отдельных компонент. Ко второй группе относятся фоторезисторы на основе германия и кремния, легированных примесями различных элементов - золота ( Qe: Au), золота и сурьмы ( Ge: Аи, Sb), цинка ( Ge: Zn), цинка и сурьмы ( Qe: Zn, Sb), меди ( Ge: Си), кадмия ( Ge: Cd), ртути ( Ge: Hg), бора ( Si: В), а также сплав кремния с германием, легированный цинком и сурьмой ( Ge-Si: Zn, Sb), и другие сочетания примесей. [15]
Страницы: 1 2