Необходимое электрическое соединение
Cтраница 2
Прежде чем проводить набор задачи на АВМ, необходимо составить коммутационную схему. Она составляется на основе структурной схемы с указанием всех необходимых электрических соединений на наборном поле данной АВМ, а также значений начальных условий и коэффициентов передачи. Все усилители и потенциометры нумеруются в соответствии с обозначениями на наборном поле АВМ; нумеруются также входы и выходы операционных блоков для облегчения их соединения между собой. [16]
 |
Схема с учетом масштабирования для решения уравнений. [17] |
Прежде чем проводить набор задачи на АВМ, необходимо составить коммутационную схему. Она составляется на основе структурной схемы с указанием всех необходимых электрических соединений на наборном поле данной АВМ, а также значений начальных условий и коэффициентов передачи. Все усилители и потенциометры нумеруются в соответствии с обозначениями на наборном поле АВМ; нумеруются также входы и выходы операционных блоков для облегчения их соединения между собой. На наборном поле входы и выходы соединяются гибкими проводами или перемычками, которые вставляются в пронумерованные гнезда. [18]
В ЭВМ второго поколения широко использовали печатный монтаж, при котором необходимые электрические соединения создаются методом вытравливания медной фольги, наклеенной на изоляционный материал. Конструктивно-технологическая и элементная база позволили создать более сложные ЭВМ. [19]
Базовые матричные кристаллы являются универсальными кристаллами-заготовками, расположенными на полупроводниковой пластине. Для изготовления специализированных БИС на их основе ( матричных БИС) проектируются и изготовляются 1 - 3 заказных фотошаблона ( маски) с помощью которых на заключительных технологических операциях формируются электрические связи по заданной принципиальной электрической схеме. Метод вентильных матриц позволяет существенно упростить процессы проектирования и производства специализированных БИС, сводя их к трассировке и технологической реализации необходимых электрических соединений. [20]
Пленочные интегральные схемы получают последовательным напылением на диэлектрическую подложку проводящих, полуйроводящих и диэлектрических пленок. Определенная последовательность и направленность напыления обеспечивает получение активных и пассивных элементов схемы ( резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.) и необходимые электрические соединения между ними. Более перспективными являются полупроводниковые интегральные схемы, которые представляют собой микроминиатюрные функциональные моноблоки твердого тела, на поверхности и в объеме которого создаются области, образующие активные и пассивные элементы. [21]
Технология изготовления ИС тесно связана с принятыми конструктивными решениями. Конструирование производится на основе разработанных электрических схем. При этом всесторонне учитываются свойства используемых материалов, возможности технологических процессов и особенности конструкций корпусов. В результате конструирования определяются геометрические размеры всех элементов, их взаимное расположение и положение проводников, обеспечивающих необходимые электрические соединения. Конструкции ИС изображаются в виде общих и пооперационных топологических чертежей. [22]
Базовый матричный кристалл ( БМК) - матрица нескоммутирован-ных элементов, электрические связи между которыми формируются в соответствии с назначением микросхемы на этапе формирования разводки. Базовые матричные кристаллы являются универсальными кристаллами-заготовками, расположенными на полупроводниковой пластине. Для изготовления специализированных БИС на их основе ( матричных БИС) проектируются и изготовляются 1 - 3 заказных фотошаблона ( маски), с помощью которых на заключительных технологических операциях формируются электрические связи по заданной принципиальной электрической схеме. Метод вентильных матриц позволяет существенно упростить процессы проектирования и производства специализированных БИС, сводя их к трассировке и технологической реализации необходимых электрических соединений. [23]
Страницы: 1 2