Бинарное соединение - тип
Cтраница 1
Бинарные соединения типа карбидов не характерны для рубидия и цезия. [1]
Бинарные соединения типа АВ, принадлежащие к кристалло-химической группе алмазоподобных полупроводников, по физико-химическому характеру родственны друг другу. Свойства, типичные для всей группы, наиболее отчетливо проявляются в свойствах соединений типа А3В5, образованных атомами, наиболее близкими по положению к IV группе Периодической системы. И наоборот, соединения А В7, образованные атомами, далее всего расположенными от IV группы, по некоторым свойствам ( например, по цвету) приближаются к солям. [2]
 |
Типы упаковок. гексагональная плотноупако-ванная решетка. [3] |
Многие бинарные соединения типа Аш Bv ( образованные из элементов III и V групп периодической системы, например InSb) и соединения типа A11BVI ( образованные из элементов II и VI групп, например ZnS) имеют структуру цинковой обманки. [4]
При низшей валентности, равной 2 или 3, в бинарных соединениях типа галидов или Оксидов проявляется преимущественно ионный тип связи. При валентности 4 и выше соединения частично образованы за счет полярной связи, а главным образом за счет ковалентной связи. [5]
 |
Кристаллическая структура с раэдрическими связями. [6] |
Имитация структуры простых веществ р-элементов IV группы наблюдается также в ряде бинарных соединений типа A. [7]
Молекулярные кристаллы образуют органические, металло-органщеские, многие комплексные соединения, а также бинарные соединения типа Н2О, СО2, НС1 и др. В форме молекулярных кристаллов могут находиться некоторые твердые простые вещества: Н2, галогены ( С12, Br2, I2), N2, O2, Sg. Кристаллы благородных газов ( элементов с полностью заполненными электронными оболочками: Не, Ne, Ar, Кг, Хе, Rn) хотя и построены из атомов, но относятся к молекулярным, так как связи между атомами в них имеют ван-дер-ваальсовый характер. Молекулярные кристаллы делятся на гомомолекулярные, состоящие из одинаковых молекул, и гетеромолекулярные, состоящие из разных молекул. [8]
В приведенной выше таблице выявляется зависимость твердости от разницы чисел валентных электронов элементов, образующих бинарное соединение типа АВ. Твердость максимальна в тех случаях, когда оба элемента имеют равные или приблизительно равные количества валентных электронов. Германий и кремний можно формально рассматривать как соединения элементов одинаковой валентности. [9]
Нами была разработана новая технология синтеза полимерных фталоцианиновых комплексов кобальта, ванадия, железа, меди, никеля и марганца, а также бинарных соединений типа ( СО - Fe), ( Fe - Mn) сетчатого и линейного строения с непрерывным сопряжением по макромолекуле. [10]
Многочисленные сложные вещества также образуют атомные кристаллы. Для бинарных соединений типа АВ этому способствует общее число валентных электронов атомов А и В, равное 8, так как при к. [11]
Для определения энергии растворения иона кристаллического вещества необходимо знать энергию кристаллической решетки. Для бинарных соединений типа NaCl, образующих ионные решетки, для которых электростатическая энергия известна и ван-дерваальсовы силы притяжения и отталкивания вычислены методами квантовой механики, получаются очень точные значения энергии кристаллической решетки. Энергия решетки определяется работой, необходимой для расщепления соединения на составляющие его ионы. [12]
 |
Энергия активации образования дефекта по Френкелю. [13] |
Механизм образования дефектов и их влияние на свойства кристалла значительно сложнее у кристаллических сложных веществ. Рассмотрим в качестве примера бинарные соединения типа АВ, в частности один из оксидов титана ТЮ. Кристаллическую структуру этого вещества удобно представить в виде двух подрешеток, занятых атомами ( ионами) титана и кислорода. Оксид титана имеет состав, отвечающий не только формуле ТЮ, но и набору различных составов от TiOo. Для оксида точно стехиометрического состава ( ТЮ) можно предположить, что обе подрешетки - титана и кислорода - заполнены одинаковым числом атомов, и если возникает вакансия в одной подрешетке, то одновременно должно происходить образование вакансии в другой подрешетке. [14]
Закономерности изменения свойств в рядах аналогов бинарных соединений и простых веществ - алмаза, кремния, германия и серого олова в общем те же, так как вызываются одним и тем же процессом металлизации связи, хотя металлизация в первом случае налагается на смешанную ионно-ковалентную связь, а во втором - на ковалентную. Рассматривая вертикальные ряды аналогов - бинарных соединений типа А3В5, А2В6 и А В7 - можно заметить, что теплоты образования по мере увеличения атомного веса падают, так как металлизация элементов, составляющих эти соединения, приводит к меньшему изменению энергии системы в результате реакции. В этих рядах ( и только в них, но не в изоэлектронных или каких-либо других) теплота образования может служить мерой прочности химического соединения, так как в таких рядах имеется один и тот же основной тип связи, на который налагается металлизация. Именно в изменении этой величины особенно часто проявляется вторичная периодичность. Все сказанное выше относится и к многокомпонентным фазам алмазоподобной структуры. [15]
Страницы: 1 2