Токопроводящее соединение

Cтраница 1

Токопроводящие соединения и контактные площадки изготовляют из паст, содержащих платину, золото и стекло или палладий, серебро и стекло. [1]

Сборка и токопроводящие соединения отдельных конструктивных элементов и электромагнитных систем являются предметом электрической сборки и монтажа. [2]

Фотография металлического печатного проводника, сделанная с помощью электронного микроскопа. Канавка с правой стороны возникла при стравливании избытка алюминия. Углубление в середине указывает на окно в слое оксида. В этом месте металлический проводник имеет контакт с подстилающим слоем кремния. [3]

Для получения токопроводящих соединений ( токопроводящих линий) между элементами ИС, а также между такими элементами и контактными площадками для подключения внешних цепей ( или площадками для термокомпрессионной сварки) подложка полностью покрывается слоем алюминия. [4]

Сборка у токопроводящих соединений отдельных конструктивных элементов и электромагнитных систем являются предметом электрической сборки и монтажа. [5]

Процесс пайки при монтаже радиоаппаратуры состоит в выполнении неразъемных токопроводящих соединений проводников с деталями электрической схемы монтируемого блока, прибора, системы, изделия. Эти соединения осуществляются, главным образом, припоем ПОС-40. Для пайки ответвленных деталей, не подвергающихся перегреву, пользуются припоем ПОС-61 или оловянно-св инцово-кадмиевым марки ПОСК-50. Наибольшие удобства при выполнении монтажных работ достигаются путем использования трубчатого припоя, который представляет собой проволоку из ПОС-40 или ПОС-61 с канифольным сердечником в середине. [6]

Виды разводки проводов у рядов зажимов. [7]

Процесс пайки при монтаже устройств автоматики состоит в выполнении неразъемных токопроводящих соединений двух или нескольких проводников с элементами монтируемого прибора. [8]

Иногда между разноименными пластинами, несмотря на наличие сепарации, образуется токопроводящее соединение, называемое коротким замыканием, которое может возникнуть при короблении положительных пластин или образовании мостиков из-за оторвавшихся от пластин частиц свинцовой сетки. Короткое замыкание обнаруживается в результате того, что поврежденный аккумулятор при заряде отстает ( имеет заниженное напряжение и меньшую плотность электролита) от других аккумуляторов, поэтому к концу заряда измеряют напряжение и плотность электролитов всех аккумуляторов. Также необходимо проследить, насколько равномерно и одновременно начинается газообразование во всех элементах батареи. [9]

Корпус типа - 1. [10]

Элементы ( это могут быть и кристаллы с ИС повышенной степени интеграции) вместе с токопроводящими соединениями изготовля-ются на ситалловой или керамической подложке, которая затем закрепляется на основании корпуса. Обычно к монтажной площадке основания корпуса приклеивается ( эпоксидным клеем) вся плоскость обрат-шой стороны подложки. [11]

Двойные серебряно-медные припои ПСр72 и ПСр50 обладают низким удельным электросопротивлением и поэтому особенно пригодны для пайки токопроводящих соединений, от которых требуется высокая электропроводность. [12]

Двойные серебряно-медные припои ПСр72 и ПСрбО обладают низким удельным электросопротивлением и поэтому особенно пригодны для пайки токопроводящих соединений, от которых требуется высокая электропроводность. Для этих же целей рекомендуется применять. [13]

Припои, в состав которых входит серебро и медь, обладают высокой электропроводностью и поэтому пригодны для пайки токопроводящих соединений. Он не содержит легкоиспаряющихся компонентов и может быть использован для пайки в газовых средах и вакууме. [14]

При повышенных температурах ускоряется протекание нежелательных физико-химических процессов на поверхности кристалла с ИС ( диффузия ионов посторонних элементов вдоль поверхности полупроводника и в диэлектрических слоях, электродиффузия атомов металла в токопроводящих соединениях, образование интерметаллических соединений), приводящих к постепенному ухудшению свойств р-п-пере-ходов и в конечном итоге к выходу ИС из строя. Интенсивность этих процессов пропорциональна величине ехр ( - const / Т), где Т - абсолютная температура. По такому же закону растет частота отказов ИС с увеличением температуры кристалла. [15]

Страницы: 1 2