Стехиометрическое соединение
Cтраница 1
 |
Зависимость свойства образующегося. [1] |
Стехиометрические соединения названы Курнаковым дальтонидами. [2]
Стехиометрическое соединение Nb3Sn имеет температуру перехода 18 3 К - самую высокую из всех известных температур перехода сверхпроводников. Переход в магнитном поле, характерный для сверхпроводников второго рода, начинается в Nb3Sn около 200 э при 4 2 К ( см. стр. [3]
Стехиометрическому соединению GaSe отвечают две или три различные фазы [101 ] с близкой кристаллической структурой [102-104], что указывает, на принадлежность GaSe к политипным соединениям. [4]
Рассмотрим неорганическое стехиометрическое соединение типа ВХ, состоящее из металла В и неметалла X. Если металл В может существовать в двух валентных состояниях, то соединение может содержать атомы В в этих двух состояниях. Атом В может быть также замещен другим атомом ( А) с валентностью, отличной от валентности В, при условии, что размеры В и А близки. Электрическая ( суммарная) нейтральность образующегося соединения сохраняется в результате появления вакансий или внедрения атомов с зарядом, компенсирующим недостаток противоположного заряда. [5]
 |
Точечные дефекты в ионном кристалле. а - дефект Шотгки. б - дефект Френкеля. [6] |
Образованию стехиометрических соединений дискретного, определенного, состава отвечает дискретная стехиометрическая реакция: nA mB - АпВт - Числа пит ( количество веществ А и В в молях, участвующих в реакции) называют стехиометрическими коэффициентами. Это постоянные для данной реакции величины, не зависящие от количества взятых веществ и условий осуществления реакции. [7]
К стехиометрическим соединениям, или дальтонидам, относятся вещества, находящиеся в газообразном состоянии, жидкости и - молекулярные кристаллы. Получение же кристаллических соединений с ионной или атомной кристаллической решеткой строго стехиометри-ческого состава, без дефектов и частичной диссоциации невозможно. [8]
 |
Схематическое изображение дефектов по.| Схематическое изображение дефектов по Шоттки. [9] |
В стехиометрических соединениях с ионной проводимостью механизмы образования дефектов предложены Я. И. Френкелем и Шоттки. [10]
В стехиометрических соединениях из-за необходимости баланса узлов и общего состава не может возникать только один сорт точечных дефектов, их должно быть минимум два. [11]
В стехиометрическом соединении МаХь, где a / b const, между концентрациями точечных дефектов, образованных на обеих под-решетках должны существовать такие соотношения, которые обеспечивали бы постоянство числа а / Ь и, следовательно, различные точечные дефекты не могут вводиться или исчезать независимо друг от друга. [12]
Для кристаллов стехиометрических соединений, имеющих френкелевскую или антиструктурную разупорядоченность, равновесные концентрации дефектов определяются аналогично. [13]
В кристаллах чистых стехиометрических соединений, в которых разупорядоченность представлена одной из трех описанных комбинаций полностью ионизованных дефектов, их концентрации связаны между собой условием электронейтральности. [14]
При наличии стехиометрических соединений выделяемого иона и поверхностно-активного вещества последнее рекомендуется вводить в небольшом избытке по сравнению с количеством, отвечающим стехиометрии. Это обеспечивает образование устойчивой пены. [15]
Страницы: 1 2 3 4