Изгиб - зона
Cтраница 5
Данные рис. 6.1.2 указывают на то, что при VG 0 более разумным является допущение, что область изгиба зоны ( д и / д х Ф 0) меньше da [5, 6, 8]; но последние обсуждения наводят на мысль о необходимости более строгих граничных условий. При VG 0 любое приближение не будет являться источником серьезных ошибок, поскольку каналированный слой составляет только несколько сотен ангстрем. [61]
Данные рис. 6.1.2 указывают на то, что при VG 0 более разумным является допущение, что область изгиба зоны ( д и / д х Ф 0) меньше dg [5, 6, 8]; но последние обсуждения наводят на мысль о необходимости более строгих граничных условий. При VG 0 любое приближение не будет являться источником серьезных ошибок, поскольку каналированный слой составляет только несколько сотен ангстрем. [62]
Следует отметить, что величина AF, определяемая по формуле (6.37), не будет в точности соответствовать величине изменения поверхностного изгиба зон AFS. [64]
С ( 0) - дифференциальная эффективная емкость МДП структуры, соответствующая моменту времени t 0 при начальных истощающих или инверсионных изгибах зон вблизи поверхности. [65]
 |
Структура энергетических зон у поверхности полупроводника. [66] |
На рис. 8.30 приведена структура энергетических зон у поверхности л-полупроводника, покрытого слоем окисла, указаны быстрые и медленные состояния и изгиб зон в предположении, что поверхность заряжена отрицательно. [67]
 |
Изменение контактной разности в зависимости от давления адсорбированных паров этилового спирта на р - Ge ( кривая вычислена из теории для рв1 2 5 мм рт. ст., ре2 10 мм рт. ст. [68] |
Поэтому различие Дф в основном связано не с различием геадс, а с влиянием на Аф начальной работы выхода ф и изгиба зон на поверхности У, которые весьма значительно отличались для указанных состояний поверхности. [69]
А - константа Больцмана; е, - диэлектрическая проницаемость; с - поверхностное состояние, или число ионизированных центров; ф - средний изгиб зон у свободной поверхности полупроводника. [70]
 |
Катодные поляризационные кривые для германия п-и р-типа в 0 1 н. НС1, получен-ные быстрым методом. [71] |
В кислых растворах при iK 3 10 - 3 а / см2 поверхность германиевого электрода заряжена отрицательно, что на энергетической диаграмме соответствует изгибу зон вниз. [72]
Страницы: 1 2 3 4 5