Общий вид - диаграмма - состояние
Cтраница 1
Общий вид диаграммы состояния из компонентов, неограниченно растворимых в жидком состоянии, ограниченно растворимых в твердом состоянии и образующих перитектику, представлен на рис. 34, г. Отличительной особенностью процесса кристаллизации указанных сплавов является то, что в сплавах с концентрацией компонентов, находящейся между точками С и N, при постоянной температуре, соответствующей линии CDN, происходит взаимодействие кристаллов твердого раствора ( 5 с оставшейся частью жидкой фазы сплава, в результате чего образуются кристаллы нового твердого раствора с концентрацией компонентов, отвечающей точке D. Следовательно, при температуре, соответствующей линии CDN, в равновесии находятся три фазы - одна жидкая и две твердые. Такое превращение, когда в процессе кристаллизации из двух фаз образуется третья, называется перитектическим, а структура сплава, полученная при этом, называется перитектикой. [1]
Общий вид диаграммы состояний у D2O и Н2О одинаковый, но точки переходов отличаются на несколько градусов и на десятки атмосфер. [2]
Общий вид диаграммы состояния двух компонентов А и В показан на фиг. Линия АСВ является линией ликвидус, линия ОСЕ - линией солидус. На линии АС начинают ( при охлаждении) выделяться кристаллы А, а на линии СВ - кристаллы В. На линии ОСЕ из жидкости концентрации С одновременно выделяются кристаллы Л и В. [3]
Общий вид диаграммы состояния с эвтектикой представлен на рис. 34, в. Этот тип диаграммы состояния характеризует процессы кристаллизации сплавов, у которых температура кристаллизации изменяется непропорционально концентрации компонентов. При кристаллизации таких сплавов из жидкой фазы первоначально выделяются кристаллы твердого раствора а раствор компонента В в компоненте А) или кристаллы твердого раствора Р ( раствор компонента А в компоненте В) различного состава. [4]
 |
Диаграмма состояния смесей, содержащих от 0 6 до системы СаО - 8Юг 28 % СаО. Понижение темпера. [5] |
Общий вид диаграммы состояния системы СаО - SiO2 представлен на рис. 5.6. Как видно из приведенной диаграммы, в системе существует четыре химических соединения: метасиликат кальция CaO - SiO2 ( CS), трехкальциевый дисиликат 3CaO - 2SiO2 ( Сз52), двухкальциевый силикат 2CaO - SiO2 трехкальциевый силикат 3CaO - SiO2 ( C3S), причем C3S и C3S2 образуются по перитектическим реакциям. [6]
По общему виду диаграмм состояния вопрос об отнесении их к соответствующему типу решить трудно. Неоспоримым критерием отнесения диаграммы к типу с инконгруэнтно кристаллизующимся соединением служит наличие курнаковских точек на кривых состав - свойство выше ликвидуса и отсутствие их ниже солидуса. [7]
На рис. 75, а показан общий вид диаграммы состояний первого рода. [8]
При введении в систему Fe-С небольших добавок других металлов ( легирование) общий вид диаграммы состояния сохраняется. Однако эти добавки способствуют стабилизации одних структурных составляющих и разрушению других. Так, легирование ванадием, хромом, вольфрамом стабилизирует структуру аустенита, что придает стали повышенную твердость и износоустойчивость. В то же время случайные включения цементита при этом подвергаются распаду за счет образования более прочных карбидов указанных легирующих металлов. Легирование белых чугунов переходными металлами с сильно дефектной d - оболочкой ( Ti, V, Сг) приводит к разрушению цементита и образованию прослоек чешуйчатого графита между кристаллами сплава. Следствием этого является повышение ударной прочности. Добавки хрома и никеля, расширяющие область аустенита и стабилизирующие ее структуру, обеспечивают повышенную коррозионную стойкость сталей ( нержавеющие стали), поскольку в гомогенных системах процессы коррозионного разрушения протекают медленнее. [9]
Все это свидетельствует об усилении химического взаимодействия в последней системе, хотя общий вид диаграмм состояния Си-Ge и Си-As аналогичен. Все промежуточные фазы в рассмотренных системах обладают металлическим характером. [10]
Наличие соединения К3Сг2С19 и соответствующего ему поля кристаллизации, не обнаруженных в работах [10-6], должно существенно изменять общий вид диаграммы состояния тройной системы. [11]
С точки зрения физико-химического анализа процесс образования твердых растворов замещения, например простого вещества В в А и А в В, подчиняется весьма общим закономерностям, причем электронное строение А и В отражается на ширине области гомогенности и на общем виде диаграммы состояния ( см. § IV. Физико-химическая же теория полупроводников позволяет ожидать ряда тонкостей в их поведении, что мы рассмотрим на примере простых веществ. [12]
С точки зрения физико-химического анализа процесс образования; твердых растворов замещения, например простого вещества В в А и А в В, подчиняется весьма общим закономерностям, причем электронное строение А и В отражается на ширине области гомогенности и на общем виде диаграммы состояния ( см. § IV. Физико-химическая же теория полупроводников позволяет ожидать ряда тонкостей в их поведении, что мы рассмотрим на примере простых, веществ. [13]
В системе Си - As происходит дальнейшее нарастание влияния разности электроотрицательностей. Все это свидетельствует об усилении химического взаимодействия в последней системе, хотя общий вид диаграмм состояния Си - Ge и Си - As аналогичен. Все промежуточные фазы в рассмотренных системах обладают металлическим характером. [14]
Страницы: 1