Cтраница 1
Создание интегральных микросхем под требуемые размеры современных индикаторов находится за пределами возможностей ближайшего будущего в технологии кремниевых полупроводников. Технология тонких пленок, по-видимому, должна способствовать созданию той основы, на которой могут быть созданы разнообразные интегральные индикаторы [19, 20], имеющие поверхность, сравнимую с поверхностью экрана ЭЛП. В то же время использование технологии изготовления тонких пленок позволит получить достаточное геометрическое разрешение, чтобы создать матрицы, плотность строк на которых не уступает разрешающей способности глаза. Потребность в высоком напряжении у тонкопленочных устройств позволяет проводить их сопряжение со всеми воспроизводящими материалами, как используемыми в. Однако эти устройства в меньшей степени подходят для возбуждения материалов, работающих при значительных токах и низких напряжениях. Эта проблема является серьезной даже не для самих тоикопленочных устройств, которые могут быть спроектированы на потребление весьма значительных токов ( приближающихся к 40 мА на 1 мм ширины канала), а для по-лосковых шин. [1]
В данном разделе будут рассмотрены преимущественно физико-технологические основы создания интегральных микросхем и функциональных устройств. Схемотехнические вопросы дискретной электроники, микроэлектроники рассматриваются в IV разделе учебника. [2]
Кроме перечисленных недостатков диффузионных резисторов и трудностей проектирования и создания интегральных микросхем с диффузионными резисторами необходимо отметить, что при формировании интегральных микросхем вообще и микросхем с диффузионными резисторами в частности в структуре интегральной микросхемы образуются паразитные элементы, которые могут нарушить нормальную работу интегральной микросхемы. [3]
Кроме перечисленных недостатков диффузионных резисторов и трудностей проектирования и создания интегральных микросхем с диффузионными резисторами необходимо отметить, что при формировании интегральных микросхем вообще и микросхем с диффузионными резисторами в частности в структуре интегральной микросхемы образуются паразитные элементы, которые могут нарушить нормальную работу интегральной микросхемы. Диффузионный резистор отделен от подложки электронно-дырочным переходом, который имеет собственную барьерную емкость. [4]
Основные направления в микроэлектронике в настоящее время определяются технологией, используемой для создания интегральных микросхем. Поэтому основная классификация интегральных микросхем проводится обычно по конструктивно-технологическому признаку. Различают полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы. [5]
Такие функциональные возможности МДП-структур представляют особую ценность для микроэлектроники, так как обеспечивают возможность создания сложных интегральных микросхем и блоков из однородных компонентов, изготовленных по единой технологии. Выпускаемые в настоящее время ИМС на МДП-структур ах превосходят ИМС на биполярных транзисторах по таким параметрам, как уровень интеграции, удельная потребляемая мощность и др., но уступают им по быстродействию. [6]
Микроэлектроника как новая область техники имеет ряд специфических особенностей не только в решении технических проблем создания интегральных микросхем, но и в разработке необходимых материалов, совершенной технологии, высокопроизводительного оборудования и подготовке высококвалифицированных кадров. [7]
Базовый кристалл микросхемы - кристалл интегральной микросхемы с определенным набором сформированных в нем не соединенных между собой двоичных логических элементов и ( или) узлов из них, используемый для создания интегральных микросхем путем изготовления избирательных межэлементных соединений. [8]
Таким образом, метод селективного выращивания слоев твердых растворов AlxGa. Что же касается создания интегральных микросхем, то эта проблема будет решаться в ближайшем будущем конструкторскими разработками, позволяющими максимально использовать возможности локальной и пленарной технологии для объединения на одной подложке из полуизолирующего арсенида галлия требуемых многослойных структур с различным функциональным значением. [9]
В последние же годы за счет создания интегральных микросхем габаритные размеры электронных устройств уменьшились в сотни и тысячи раз. [10]
Эта методика используется при проведении диффузии золота в кремний. Диффузией Аи в Si создают рекомбина-циотмые центры, понижающие время жизни неосновных носителей в полупроводнике. Это необходимо при создании интегральных микросхем, работающих в ключевом режиме с высоким быстродействием. Диффузия золота в кремний осуществляется с помощью междоузельного механизма со скоростями, на несколько порядков превышающими скорости диффузии элементов III и V групп. Например, при нанесении золота напылением на пластину кремния толщиной 150 мкм и выдерживания в атмосфере сухого азота в течение 48 мин при 970 C золото диффундирует сквозь всю пластину. [11]
Цифровые телеизмерительные системы обладают рядом достоинств, из которых наиболее существенными являются хорошие метрологические характеристики, возможность работы по различным каналам связи, высокая помехоустойчивость и возможность ввода измерительной информации в электронные вычислительные машины для ее обработки. Но эти системы сравнительно сложные. Однако развитие микроэлектроники, создание интегральных микросхем позволяет создавать компактные и надежные конструкции блоков системы, что и обеспечивает перспективность применения систем этой группы. [12]
В этой связи весьма перспективными представляются ИВП в виде высокочастотных ключевых преобразователей, бесконтактная коммутационная и защитная аппаратура, выполненная на основе транзисторных и тиристорных силовых ключей. Важным направлением в развитии электротехнических устройств является создание универсальных и специализированных интегральных микросхем ИВП, цепей управления и защиты с высокой степенью интеграции. [13]
Из всех изделий микроэлектроники наибольшее распространение получили интегральные микросхемы, Именно они характеризуют современный уровень развития микроэлектроники. Техника изготовления интегральных микросхем снована на обобщении групповых технологических приемов, ранее используемых в полупроводниковом производстве и при получении пленочных покрытий. Это и определило два главных направления в создании интегральных микросхем: полупроводниковое и пленочное. [14]