Создание - инверсная населенность
Cтраница 2
Поэтому плотность светового потока достигает больших значений и достаточна для создания инверсной населенности в полупроводниках. [16]
 |
Схема иеупругого экситои-экситоииого рассеяния с учетом взаимодействия экситоиов с фотонами. [17] |
Следовательно, связывание электронов и дырок в экситоны делает невозможным создание инверсной населенности между собственными энергетическими зонами полупроводника. [18]
Количество генерируемых видов колебаний зависит от мощности, затрачиваемой на создание инверсной населенности, например от мощности накачки. [19]
Определенную роль в возбуждении верхних уровней 2s и 3s и создании инверсной населенности играет и непосредственное электронное возбуждение этих уровней из основного состояния. [20]
Специфика газов проявляется и в многообразии физических процессов, применяемых для создания инверсной населенности. К их числу относятся возбуждение при соударениях в электрическом разряде, химическое возбуждение, фотодиссоциация, газодинамические процессы, оптическая накачка, электронно-лучевое возбуждение. [21]
 |
Электрический квадрупольный и магнитный ( б конденсаторы. [22] |
Это позволит также оценить и обосновать используемые для различных активных веществ методы создания инверсной населенности. [23]
Формула ( 35) позволяет легко определить минимальную интенсивность возбуждения, необходимую для создания инверсной населенности. [24]
 |
Трехуровневая система ОКГ. Волнистой стрелкой показаны безызлучательяые переходы. [25] |
Если интенсивность накачки достаточно велика, то накопление ионов на уровнях 2Е может привести к созданию инверсной населенности этих уровней по отношению к основному состоянию. [26]
Мощные лазеры на стекле с неодимом в принципе могут быть использованы в качестве своеобразной накачки для создания инверсной населенности на уровнях многозарядных ионов в лазерной плазме, используемой в виде рабочего вещества УФ и рентгеновских лазеров. [28]
Как уже отмечалось, в лазерах на гранате с неодимом нижние рабочие уровни заселены слабо, и поэтому основная доля мощности накачки расходуется не на создание инверсной населенности ( з 2), а на преодоление потерь в резонаторе и на полезное выходное излучение. При этом для возникновения генерации достаточно перевести на уровень 3 лишь малую часть ионов, находящихся на основном уровне. Это выгодно отличает этот вид лазеров от лазеров, работающих по трехуровневой схеме. В последних нижним рабочим уровнем является основной уровень, и для создания инверсной населенности ( NzN) требуется перевести на метастабильный уровень 2 не менее половины ионов с основного уровня, а с учетом потерь в резонаторе и полезного излучения больше половины. Поэтому в трехуровневых лазерах ( например, на рубине) мощность накачки расходуется непроизводительно и их КПД оказывается существенно ниже. [29]
Если же / - Й уровень относится к числу возбужденных, то при низких температурах на нем может быть сколь угодно мало частиц. Поэтому создание инверсной населенности уровней i, I, необходимое для генерации, возможно без существенного обеднения частицами основного состояния. Это важное обстоятельство накладывает отпечаток на характер поглощения, люминесценции и генерации активного вещества в резонаторе. Поэтому принято различать трехуровневые и четырехуровневые оптические квантовые генераторы. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5