Создание - запоминающие устройство
Cтраница 3
 |
Остаточные изменения магнитных свойств сплавов после воздействия.| Влияние нейтронного облучения на харак. [31] |
Многоконтурные системы ( рис. 8.15, и, к) используются для построения магнитных логических и переключающих элементов. Пластинки с большим количеством отверстий ( рис. 8.15, л) из феррита с ППГ используются для замены отдельных тороидальных магнитопроводов при создании магнитных запоминающих устройств. С целью устранения трансформаторной связи между обмотками применяются магнитопроводы по рис. 8.15, м-о. [32]
 |
Схема литографически-индуцированной самосборки наноструктур. [33] |
Описаны также приемы литографически индуцированной самосборки наноструктур. Отмечается, что этот процесс может быть применен и к другим материалам ( полупроводникам, металлам и биоматериалам), что важно для создания запоминающих устройств различных типов. [34]
Можно ожидать, что будут сделаны открытия, которые окажут большое влияние на все дальнейшее развитие кибернетической науки и техники. Возможно, что эти открытия будут сделаны в области оптической обработки и запоминания сигналов. Может быть, прогресс кибернетики будет связан с использованием биологических сред в машинах и с созданием белковых запоминающих устройств, намного превосходящих по своим возможностям те, которые имеются в современных машинах. Не исключено, что поворотным пунктом в развитии кибернетики явятся дальнейшее раскрытие механизмов наследственности и освоение управления происходящими здесь процессами. [35]
Использование магнитной записи позволяет удобно создавать запоминающие устройства очень большой емкости. Техника магнитной записи хорошо разработана для целей звукозаписи, и накопленный в этой области опыт был использован при создании запоминающих устройств вычислительных машин. [36]
В СССР в 1948 - 1953 гг. разрабатываются и создаются ЭЦВМ с программным управлением - Стрела, М-2 и М-3 В 1953 г. вступила в строй быстродействующая электронная счетная машина БЭСМ, разработанная в АН СССР под руководством акад. В следующие годы начали серийно выпускаться машины БЭСМ-2, Урал-1, Урал-2, а также проводиться активные исследования и разработки в направлении создания высоконадежных и быстродействующих запоминающих устройств большой емкости, замены электронных ламп полупроводниковыми приборами, совершенствования структур вычислительных машин. Последнее было вызвано стремлением повысить степень автоматизации вычислительных процессов. [37]
Явление сверхпроводимости, в свою очередь, вызывает ряд явлений, имеющих важное практическое значение. Например, сила тока в замкнутом проводнике, находящемся в сверхпроводящем состоянии, остается неизменной сколь угодно длительное время. Это, в частности, используют для получения очень сильных магнитных полей с помощью электромагнитов со сверхпроводящей обмоткой, создания электрогенераторов с очень высоким КПД, а также для создания запоминающих устройств в некоторых типах электронно-вычислительных машин. Ведутся работы по конструированию и изготовлению опытных образцов сверхпроводящих линий электропередачи, способных передавать электроэнергию без потерь. Явление разрушения сверхпроводящего состояния магнитным полем используют в устройствах бесконтактных переключающих элементов современных ЭВМ. [38]
Опыт эксплуатации машин показал, что магнитные барабаны являются более надежным запоминающим устройством, чем магнитные ленты. Однако недостатком магнитного барабана является малая емкость по сравнению с магнитными лентами. В этом направлении далеко еще не использованы все возможности. Поэтому создание запоминающих устройств на магнитных барабанах с повышенной емкостью хранимых чисел и с повышенной скоростью выборки массивов чисел является одной из задач дальнейшего развития вычислительных машин. [39]
Это третье поколение машин родилось примерно через пять лет после создания машин на полупроводниках. Успех был обусловлен заменой полупроводников интегрированными схемами, созданием сверхбыстродействующих запоминающих устройств, системы модульных блоков и более мощных средств ввода-вывода. [40]
Для восполнения дырок, остающихся в карманах, между структурами помещают специальные схемы обновления ( регенерации) зарядов. Такие структуры называют структурами с объемным или скрытым каналом. При подаче на p - n - переход напряжения в обратном направлении образуется потенциальная яма, глубина которой увеличивается при подаче напряжения па затвор. Введенные в потенциальную яму носители заряда перемещаются из одной ямы в другую по каналу, не выходя к поверхности. Приборы, работающие на рассмотренном принципе, называют приборами с зарядовой связью - ПЗС. Основными направлениями использования ПЗС являются создание быстродействующих запоминающих устройств, построение формирователей видеосигнала, создание устройств аналоговой обработки информации. [41]
Получение более или менее постоянной записи света и тени с помощью фотографии представляет наиболее хорошо известный из прикладных фотохимических процессов. Фотография относится к одному из методов получения фотоизображения, в котором для записи и копирования изобразительной информации используются кванты света. Помимо фотографии другие широко распространенные приложения фотоизображения включают копирование деловых бумаг ( ксерокопию) и изготовление различных видов печатных форм. Если рисующий свет изменяет свойства ( например, растворимость) материала, используемого для защиты некоторой подложки, то последующей обработкой можно перенести изображение на первоначально защищенную шаблоном поверхность. Такие материалы называются фоторезистами. Они чрезвычайно важны в производстве печатных форм, интегральных схем и печатных плат для электронной промышленности, в изготовлении мелких компонентов типа сеток электрических бритв, пластин затворов фотоаппаратов и многих других изделий. В настоящее время большое внимание привлечено к получению изображения с целью создания полностью оптических запоминающих устройств, отличающихся от магнитных тем, что запись и считывание информации осуществляются электромагнитным излучением видимой части спектра. Хорошо развиваются сейчас приложения оптического считывания к видео - и аудиотехнологиям ( компакт-диски), а также в области оптического считывания - записи в запоминающих устройствах для компьютеров. [42]
Схемы всех ЦМД-устройств основаны на движении цилиндрических магнитных доменов вдоль магнитной пленки. Однако высокая подвижность ЦМД реализуется только в пленках высокого качества. Дефекты, плоские ( например, границы кристаллических зерен) и линейные ( например, дислокации), приводят к торможению и захвату ЦМД. Поэтому в качестве магнитных пленок-носителей ЦМД следует использовать монокристаллические пленки, не имеющие границ зерен и содержащие не более десяти дислокаций на квадратный сантиметр. Толщина пленки не должна превышать 10 мкм. Естественно, что подобные магнитные пленки не могут быть использованы сами по себе из-за их механической неустойчивости. Их выращивают на немагнитных подложках с такой же кристаллической решеткой. В настоящее время создана и надежно работает технологическая схема создания запоминающих устройств на ЦМД, которая включает следующие элементы. [43]
Страницы: 1 2 3