Изготовитель - транзистор
Cтраница 1
 |
Эквивалентная схема транзистора в системе / i-параметров ( а. Г - образная эквивалентная схема транзистора ( б. [1] |
Изготовители транзисторов обычно приводят / z - параметры для схем ОБ или ОЭ. [2]
Большинство изготовителей транзисторов публикуют в каталогах данные о максимальном напряжении с большой осторожностью. Вследствие этого пробой случается обычно при значительно более высоком напряжении по сравнению с указанным в каталоге. При пробое транзистора высокая местная плотность тока может необратимо изменить его характеристики. Инженерам-испытателям должны быть даны указания не производить испытания на пробой или измерение пробивного потенциала при напряжениях выше максимально допустимого. При таких испытаниях и измерениях на транзистор могут воздействовать кратковременные переходные напряжения, превышающие максимально допустимое, что обычно является причиной отказа. Пробои из-за кратковременных перенапряжений характерны для быстродействующих переключающих транзисторов, имеющих тонкую область базы. [3]
Большинство изготовителей транзисторов публикуют в каталогах данные о максимальном напряжении с большой осторожностью. Вследствие этого пробой случается обычно при значительно более высоком напряжении по сравнению с указанным в каталоге. При пробое транзистора высокая местная плотность тока может необратимо изменить его характеристики. Инженерам-испытателям должны быть даны указания не производить испытания на пробой или измерение пробивного потенциала при напряжениях выше максимально допустимого. При таких испытаниях и измерениях на транзистор могут воздействовать кратковременные переходные напряжения, превышающие максимально допустимое, что обычно является причиной отказа. Пробои из-за кратковременных, перенапряжений характерны для быстродействующих переключающих транзисторов, имеющих тонкую область базы. [4]
 |
Прибор Teletrans II для определения параметров транзисторов. [5] |
Параметры четырехполюсника задаются изготовителями транзисторов иногда даже с границами их разброса. [6]
Что же касается области характеристик, соответствующих прямому смещению на эмиттерном переходе, то многие изготовители транзисторов на этой области определяют участок, называемый областью безопасной работы транзистопов - Для определения границ этой области проводятся исследования, при которых достаточно большое количество транзисторов выводится из строя в различных режимах. Установленная таким образом область безопасной работы транзисторов позволяет с определенной вероятностью рассчитывать на то, что при работе в пределах этой области транзистор не будет попадать в состояние вторичного пробоя. Достаточно очевидно, что вероятность перехода во вторичный пробой должна возрастать с увеличением рабочего тока и напряжения, так как при этом наличие неравномерного выделения мощности в структуре транзистора будет сказываться сильнее. Так как для развития вторичного пробоя требуется некоторое время, то область безопасной работы при работе в импульсном режиме будет как-то увеличиваться при уменьшении длительности импульса. Связь эта имеет вид Рт const, где Р - необходимая энергия, а т - время. [7]
Формулы, устанавливающие связь между Л - параметрами для различных схем включения транзистора, приведены в табл. 4.1. Изготовители транзисторов обычно приводят значения Л - параметров для схем ОЭ или ОБ. [8]
При выборе типа транзисторов для оконечного каскада удобно пользоваться таблицей о данными генераторных транзисторов, подобной табл. 7.1. Обычно изготовители транзисторов указывают некоторые типовые экспериментальные данные. Эксперимент проводится в критическом режиме в условиях, близких к предельно допустимым по какому-либо из параметров, ограничивающих мощность так, чтобы можно было гарантировать достаточную надежность транзистора. [9]
Если транзистор тянутый, то z & является комплексной величиной. Изготовитель транзисторов обычно указывает только низкочастотное значение г б, поведение же на высоких частотах определяется экспериментально. [10]
Транзисторы размещены в порядке возрастания максимального напряжения и максимально допустимого тока. Кроме важнейших параметров транзисторов в справочнике указываются изготовители транзисторов. В конце книги приводятся рекомендуемые замены выпускаемых и снятых с производства транзисторов на существующие аналоги. [11]
Для обеспечения лучших качественных показателей логических схем желательно с точки зрения разработчиков схем иметь транзисторы с минимальными производственными допусками. С другой стороны, производственный разброс параметров транзисторов неизбежен, и изготовители транзисторов заинтересованы в реализации всех приборов, характеристики которых находятся в пределах норм допусков. Правильное решение этого противоречия заключается в рациональном ( с использованием статистического метода) расчете схем, в предъявлении разумных требований к технологическому разбросу параметров транзисторов и, в пределе, в построении на основе этих требований управляемого технологического процесса. [12]
Определив характеристики транзисторов, мы сталкиваемся с рассеиванием их электрических свойств. Вследствие крошечных размеров самой системы транзисторов рассеивание характеристик транзисторов по сравнению с другими элементами пока еще чрезвычайно велико. Это относится прежде всего к граничной частоте и усилению по току. Чувствительность р-и-перехода к поверхностным загрязнениям приводит к разбросу допустимых обратных напряжений. Чтобы облегчить потребителю применение транзисторов в своих схемах, изготовители транзисторов производят разбраковку транзисторов по тем параметрам, которые подвержены разбросу. В зависимости от значений граничной частоты, коэффициента усиления по току и обратного напряжения транзисторы разбиваются на группы, каждой из которых присваивается отдельное обозначение. [13]
Страницы: 1