Изготовление - кристалл
Cтраница 1
Изготовление кристаллов ИМС, каждый из которых содержит большое количество электрических элементов ( например, транзисторов, резисторов и др.), соединенных между собой в соответствии с заданной электрической схемой, производят групповым методом. Его сущность состоит в том, что на пластине полупроводникового материала, имеющей диаметр порядка 30 мм, одновременно изготавливают несколько сотен одинаковых ИМС. После проверки каждой ИМС и отбраковки негодных производят разрезку пластины на отдельные кристаллы, после чего они поступают на сборку. [1]
Для изготовления кристалла используют сверхчистый материал, в который добавляют специальные строго дозированные; примеси. Таким образом формируют один из электродов транзистора, называемый базой. [2]
 |
Тигель с раствором нелетучего компонента А в летучем растворителе В ( а и распределение температур ( б. [3] |
Для изготовления кристаллов соединений с высокими температурами плавления и значительными давлениями паров компонентов выращивание из нестехиометрических растворов-расплавов позволяет проводить процессы при умеренных температурах и давлениях паров и значительно упростить конструкцию установок выращивания. [4]
После изготовления кристалла интегральной микросхемы нужно провести операции сборки и герметизации. Это означает, что кристалл необходимо поместить в корпус с выводами. Корпус должен быть достаточно прочным, герметичным, обеспечивать теплообмен с окружающей средой и защищать интегральную микросхему от воздействия света или другого внешнего излучения. [5]
Цех изготовления кристаллов включает участки: фотолитографии, термический, тестовых измерений, скрайбирования. Отделочный цех может состоять из участков покраски, напыления, художественного оформления. Такая группировка затрат по центрам их возникновения позволяет легко определить их величину и ответственного за отклонения в издержках от нормативной величины. [6]
При изготовлении кристаллов, топология которых разработана методом стандартных ячеек, используется полный цикл технологических операций: от подготовки полупроводниковых пластин до скрайбирования. [7]
Наиболее удобным материалом для изготовления кристаллов, необходимых для ремтгенохимических работ, является кварц. Это объясняется, во-первых, тем, что кварц представляет собой один из наиболее совершенных кристаллов, в котором имеется целая серия плоскостей, удобных для отражения рентгеновских лучей ( что позволяет изготовлять из этого кристалла пластины с различными междуатомными расстояниями); во-вторых, удобством обработки этого кристалла и сравнительной его доступностью; в-третьих, тем, что вследствие отсутствия совершенной спайности и большой упругости кварцевых пластин их можно легко изгибать без риска вызвать в кристалле остаточные деформации, и, наконец, тем, что поверхность кварцевых пластин практически остается неизменной при изменении температуры и влажности воздуха. Это делает изготовленные из кварца пластины очень стабильными и удобными в эксплуатации. [8]
В результате все усилия технологов, направленные на изготовление кристалла с заданным объемным временем жизни носителей заряда окажутся напрасными, ибо в суммарное т более значительный вклад будет вносить рекомбинация на поверхности. [9]
Стоимость изготовления b одной ИМС состоит из затрат на изготовление кристалла полупроводниковой ИМС или платы ГИС, стоимости корпуса, операций сборки, герметизации и контроля ИМС. [10]
 |
Принципиальная схема микропроцессора с аппаратным управлением. [11] |
Схемные блоки связаны многопроводными шинами, формируемыми в процессе изготовления кристалла БИС. Для уменьшения количества внешних соединений кристалла одни и те же линии используются как для ввода, так и для вывода данных. [12]
Масочно-программируемые ПЗУ ( МПЗУ) - постоянно запоминающие устройства, программируемые во время изготовления кристалла, когда в кристалл заносится определяемая пользователем комбинация единиц и нулей. Такие устройства являются экономически оправданными в тех случаях, когда изготавливается 1000 или более идентичных устройств. Масочно-программируемые ПЗУ высоконадежны, постоянно сохраняют записанную информацию, но их нельзя перепрограммировать. [13]
Как видно, при низких температурах электропроводность твердых галогенидов щелочных металлов зависит от предыстории образца ( условий изготовления кристалла), а при высоких температурах это различие не сказывается. [14]
 |
Структурная схема ПЗУМ емкостью 16 К бит. [15] |
Страницы: 1 2 3 4