Изготовление - микросхема
Cтраница 2
 |
Набор масок-трафаретов для изготовления гибридной микросхемы. [16] |
Но на этом изготовление микросхемы не заканчивается. Ее нужно изолировать от влияния внешней среды. Для этого Микросхему помещают в герметичный корпус. [17]
Последовательность технологических процессов изготовления микросхем СВЧ определяется прежде всего технологией ПТШ, с которой совмещаются технологические процессы формирования в едином цикле пассивных элементов и согласующих цепей. [18]
 |
Влияние уровня выхода годной продукции на экономические показатели производства. [19] |
При разработке и изготовлении микросхем нужно учитывать факторы, влияющие на выход годной продукции, так как этот показатель оказывает решающее воздействие на себестоимость. [20]
В настоящее время для изготовления микросхем с применением промежуточного носителя как в нашей стране, так и за рубежом разработано автоматизированное оборудование, в том числе с управлением от ЭВМ. [21]
При массовом производстве для изготовления микросхемы, принципиальная схема которой приведена на рис. 7.11, выбирают толстопленочную технологию как наиболее простую и дешевую. [22]
В зависимости от технологии изготовления микросхемы подразделяют на полупроводниковые и пленочные. Пленочные схемы, в свою очередь, делятся на тонкопленочные и толстопленочные. Первые получают методами термического испарения материалов и катодного распыления, вторые - методами шелкографии и вжигания специальных паст в керамику. Разновидностью тонкопленочных микросхем, используемых в диапазоне СВЧ, являются микрополосковые схемы. По степени унификации и применения в РЭА микросхемы подразделяют на микросхемы широкого и частного применения. [23]
 |
Корпуса и панели для БИС. [24] |
В настоящее время технология изготовления микросхем достигла такого уровня, который позволяет создавать большие интегральные схемы. [25]
Основным недостатком данного метода изготовления микросхем является наличие паразитных емкостей и токов утечки, изолирующих р-п-переходов, что особенно оказывается в быстродействующих и микромощных логических микросхемах. [26]
По мере развития технологии изготовления микросхем с высокой степенью интеграции и МОП технологии возникла необходимость устранить операцию крупномасштабного вычерчивания оригинала фотошаблона микросхемы. [27]
При многооперационном технологическом процессе изготовления гибридно-пленочных и интегрально-полупроводниковых микросхем появляются факторы, существенным образом влияющие на точность выходных параметров. [28]
С какой целью при изготовлении микросхемы напыляют контактные площадки. [29]
 |
Плотность упаковки элементов электронной аппаратуры. [30] |
Страницы: 1 2 3 4