Соотношение - работа
Cтраница 1
Соотношения работы [8] относятся к стационарным или весьма слабо развивающимся пожарам, которые горят под горизонтальным потолком неограниченной протяженности. Эти соотношения не применимы к потолкам со значительно отличающейся геометрией. Всякого рода конструктивные или технологические элементы, размещенные под потолком, должны занимать не более 1 % высоты помещения. Кроме того, если предполагается, что пожар возникнет в окрестности стены или в углу помещения, необходимо в расчетах принимать более высокие температуры и большие скорости ( разд. [1]
Если соотношение работ всех действующих в машине сил таково, что уравнение ( 170) не удовлетворяется, маховик не может обеспечить выравнивание хода машины, поскольку запаса аккумулированной им за период движения кинетической энергии для этого недостаточно. Подобные случаи имеют место при непериодических изменениях движущих сил или сил всех сопротивлений в машине, вызывающих такие же непериодические колебания скорости главного вала. [2]
Составив соотношение работ, получим. [3]
Исследование соотношений работы трения, количества выделившейся теплоты и величины поглощаемой энергии показало, что величины работы внешнего трения и выделившейся теплоты в начале работы сопряжений резко возрастают, затем снижаются до значений, характерных для установившегося режима трения. Величина поглощенной энергии также снижается, периодически переходя через максимальные и минимальные значения. [5]
При противоположном соотношении работ выхода ( Аа Лп) в полупроводнике n - типа получается обедненный или инверсный слой, а в дырочном - обогащенный. [6]
 |
Образование обедненного ( а, инверсного ( б и обогащенного ( в слоев в полупроводнике вблизи металлургического контакта с металлом при работе выхода в металле меньше, чем в полупроводнике. [7] |
При противоположном соотношении работ выхода ( АМА) в полупроводнике - типа получается обедненный или инверсный слой, а в дырочном - обогащенный. [8]
При противоположном соотношении работ выхода ( А А) в полупроводнике n - типа получается обедненный или инверсный слой, а в дырочном - обогащенный. [10]
Для характеристики соотношения работы Эйнштейна с работами его предшественников довольно часто используют параллель Коперника и Птолемея. Такое сопоставление, однако, нельзя признать удачным, поскольку в работах, например, Лармора и Эйнштейна полностью совпадают проверяемые на опыте математические соотношения, тогда как системы Птолемея и Коперника отличались математическим описанием одних и тех же астрономических наблюдений. В этом отношении используемые нами примеры из истории создания квантовой механики гораздо больше отвечают существу обсуждаемых работ создателей СТО. Кроме того, хронологическая близость этой аналогии особенно ярко подчеркивает, как в одно и то же время, практически в одном и том же обществе ученых так по-разному сложилось признание основных работ этих двух фундаментальных направлений в физике. [11]
В зависимости от соотношения работы выхода электрона из металла и сродства молекулы к электрону при адсорбции других молекул также возможно как уменьшение, так и увеличение сопротивления металлической пленки. Динитроксид и оксид углерода, подобно кислороду, увеличивают сопротивление. Непредельные углеводороды при низких ( до 100 К) температурах уменьшают сопротивление, а при достаточно высоких, наиболее практически интересных для выяснения механизма каталитических процессов, увеличивают. [13]
В зависимости от типа электропроводности полупроводника и соотношения работ выхода в полупроводнике может возникать обедненный, инверсный или обогащенный слой ( рис. В. Когда работа выхода электронов из металла ( Л) меньше, чем из полупроводника ( Ап), электроны с большей вероятностью переходят из металла в полупроводник. В случае, если полупроводник электронный ( рис. В. Когда же ЛМЛП, в электронном полупроводнике получается обедненный или инверсный слой ( рис. В. В обедненных слоях объемный заряд формируется в результате нарушения компенсации заряда ионизированных примесей основными носителями, а в обогащенных - благодаря накоплению основных носителей. Обогащенный слой обусловливает малое сопротивление прикон-тактной области и выпрямляющие свойства не проявляются. При наличии обедненного или инверсного слоя контакт металл - полупроводник обладает выпрямляющими свойствами и аналогичен электронно-дырочному переходу. [14]
Условия гидрофобности описываются уравнением Юнга (12.38) через соотношение работы адгезии между кристаллом и жидкостью и работой когезии между молекулами жидкости. [15]
Страницы: 1 2 3 4