Cтраница 5
Сопоставление рис. 2.14, г с электронно-микроскопическим снимком пленки на просвет ( рис. 2.15) показывает, что после того, как пленка становится сплошной, происходит частичная рекристаллизация островков, образованных из сросшихся зародышей антипараллельной ориентации. В результате рекристаллизации возникают домены одной ориентации, окруженные замкнутыми петлями двойниковых границ, ориентированных перпендикулярно подложке и лежащих предпочтительно в плоскостях ( 112) РЬТе. Петли двойниковых границ видны на рис. 2.15. Канавки, наблюдаемые на рис. 2.14, в, г, являющиеся выходами двойниковых границ на поверхность пленки, образуются путем предпочтительного испарения или поверхностной диффузии материала пленки из приграничной области. В результате округления острых углов доменов двойниковые границы выходят из кристаллографической плоскости регулярной двойниковой границы и, по существу, становятся подобными болыпеугловым границам. Однако в отличие от обычных болыпеугловых границ с нерегулярной структурой, рассматриваемые границы имеют частично регулярное строение. Они не заряжены и, кроме того, могут содержать дислокации. [61]