Сопоставление - прочность
Cтраница 2
 |
Схема перекрывания электронных облаков при образовании молекул HF и HI. [16] |
Связь здесь ослабляется по тем же причинам, которые были рассмотрены при сопоставлении прочности молекул свободных галогенов ( стр. Как показывает схема ( рис. 107), при переходе, например, от HF к HI уменьшается степень перекрывания электронных облаков атомов водорода и галогена, а область перекрывания располагается на большем расстоянии от ядра атома галогена и сильнее экранируется возросшим числом промежуточных электронных слоев. Кроме того, в ряду F - С1 - Вг - I электроотрицательность атома галогена уменьшается. Поэтому в молекуле HF электронное облако атома водорода смещается в сторону атома галогена в наибольшей степени, а в молекулах НС1, НВг и HI - все меньше и меньше. Это также приводит к уменьшению перекрывания взаимодействующих электронных облаков и, тем самым, к ослаблению связи между атомами. [17]
 |
Некоторые свойства галогеноводородов. [18] |
Связь здесь ослабляется по тем же причинам, которые были рассмотрены при сопоставлении прочности молекул свободных галогенов ( стр. Как показывает схема ( рис. 108), при переходе, например, от HF к HI уменьшается степень перекрывания электронных облаков атомов водорода и галогена, а область перекрывания располагается на большем расстоянии от ядра атома галогена и сильнее экранируется возросшим числом промежуточных электронных слоев. Кроме того, в ряду F - С1 - Вг-I электроотрицательность атома галогена уменьшается. Поэтому в молекуле HF электронное облако атома водорода смещается в сторону атома галогена в наибольшей степени, а в молекулах HCI, НВг и HI - все меньше и меньше. Это также приводит к уменьшению перекрывания взаимодействующих электронных облаков и, тем самым, к ослаблению связи между атомами. [19]
 |
Некоторые свойства галогеноводородов. [20] |
Связь здесь ослабляется по тем же причинам, которые были рассмотрены при сопоставлении прочности молекул свободных галогенов ( стр. Как показывает схема ( рис. 107), при переходе, например от HF к HI уменьшается степень перекрывания электронных облаков атомов водорода и галогена, а область перекрывания располагается на большем расстоянии от ядра атома галогена и сильнее экранируется возросшим числом промежуточных электронных слоев. Кроме того, в ряду F - С1 - Вг-I электроотрн - - цательность атома галогена уменьшается. [21]
 |
Некоторые свойства галогеноводородов. [22] |
Связь здесь ослабляется по тем же причинам, которые были рассмотрены при сопоставлении прочности молекул свободных галогенов ( стр. Как показывает схема ( рис. 107), при переходе, например, от HF к HI уменьшается степень перекрывания электронных облаков атомов водорода и галогена, а область перекрывания располагается на большем расстоянии от ядра атома галогена и сильнее экранируется возросшим числом промежуточных электронных слоев. Кроме того, в ряду F - С1 - Вг-I электроотрицательность атома галогена уменьшается. [23]
 |
Некоторые свойства галогеноводородов. [24] |
Связь здесь ослабляется по тем же причинам, которые были рассмотрены при сопоставлении прочности молекул свободных галогенов ( стр. Как показывает схема ( рис. 107), при переходе, например от HF к HI уменьшается степень перекрывания электронных облаков атомов водорода и галогена, а область перекрывания располагается на большем расстоянии от ядра атома галогена и сильнее экранируется возросшим числом промежуточных электронных слоев. Кроме того, в ряду F - С1 - Вг-I электроотрицательность атома галогена уменьшается. [25]
 |
Некоторые свойства галегеноводородов. [26] |
Связь здесь ослабляется по тем же причинам, которые были рассмотрены при сопоставлении прочности молекул свободных галогенов ( стр. Как показывает схема ( рис. 107), при переходе, например от HF к HI уменьшается степень перекрывания электронных облаков атомов водорода и галогена, а область перекрывания располагается на большем расстоянии от ядра атома галогена и сильнее экранируется возросшим числом промежуточных электронных слоев. Кроме того, в ряду F - С1 - Вг-I электроотрн-цателыюсть атома галогена уменьшается. [27]
Связь здесь ослабляется по тем же причинам, которые были рассмотрены при сопоставлении прочности молекул свободных галогенов ( стр. Как показывает схема ( рис. 107), при переходе, например, от HF к HI уменьшается степень перекрывания электронных облаков атомов водорода и галогена, а область перекрывания располагается на большем расстоянии от ядра атома галогена и сильнее экранируется возросшим числом промежуточных электронных слоев. Кроме того, в ряду F - С1 - Вг-I электроотрицательность атома галогена уменьшается. Поэтому в молекуле HF электронное облако атома водорода смещается в сторону атома галогена в наибольшей степени, а в молекулах НС1, НВг и HI - все меньше и меньше. Это также приводит к уменьшению перекрывания взаимодействующих электронных облаков и, тем самым, к ослаблению связи между атомами. [28]
Из данных табл. 1.1 ясно, почему ди-грет-бутилпероксид при небольшом нагревании может служить источником свободных rper - бутилоксильных радикалов; сопоставление прочности Н - О-связи с Н - С-связями объясняет, почему органические перокси-ды используют для инициирования свободнорадикальных реакций. [29]
Из сказанного вытекает, что знакомство с числом и характером ячеек, которые могут быть использованы данным атомом для образования связей в сочетании с сопоставлением прочности могущих возникнуть связей дает возможность подойти к определению как координационного числа данного комплексообразователя, так и геометрической конфигурации образующегося комплекса. [30]
Страницы: 1 2 3