Сопротив - ление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Всякий раз, когда я вспоминаю о том, что Господь справедлив, я дрожу за свою страну. Законы Мерфи (еще...)

Сопротив - ление

Cтраница 1


1 Схемы транзисторных генераторов с емкостной обратной связью.| Схема генератора с. [1]

Сопротив ления Ri и Ri в этой схеме образуют делитель напряжения для смещения базы.  [2]

Чувствительный элемент платинового термометра сопротив ления: а-неарми-рованный; б - армированный изоляторами.  [3]

4 Кривые заряда и разряда железо-никелевого аккумуля тора при различных режимах. [4]

В случае обнаружения значительного уменьшения сопротив ления ниже 10000 ом должно быть найдено место утечки ток и устранена утечка.  [5]

6 К определению динамической погрешности интегрирующего усилителя, вызванной ограниченной мощностью выходного каскада. [6]

Для обеспечения достаточно большого входного сопротив ления интегрирующего усилителя, которое в соответствии с выражением ( 3.13 а) равно R ( в предположении, что wg0), его величину необходимо выбирать большой.  [7]

8 Схема кулачкового пластометра конструкции УЗТМ. [8]

В камере установлена высокотемпературная нагревательная печь сопротив ления с нагревателями из вольфрамовой ленты 8, закрытая экранами 9 для защиты вакуумных уплотнений от прямого излучения.  [9]

10 Схема катодной защиты трубы с использованием жертвенного анода. [10]

Суспензия бентонита и алебастра способствует увеличению сопротив ления грунта и уменьшению коррозии магния.  [11]

12 Вольт-амперная характеристика линейного резистора. [12]

В этих выражениях коэффициент N о размерностью сопротив ления зависит от масштабов по осям абсцисс и ординат.  [13]

14 Коллекторные характеристики мощного транзистора. [14]

Большие рабочие токи приводят к резкому уменьшению сопротив лений гэ и гк. Из выражения ( 4 - 22) следует, что при токе больше 100 MI сопротивление эмиттерного перехода ничтожно мало и с ним практи чески можно не считаться. Поэтому в схеме ОЭ входным сопротивле нием будет по существу только сопротивление базы гб ( см. рис. 4 - 24) Последнее при высоких уровнях инжекции модулируется ( см. рис 2 - 34) и обычно лежит в пределах до 10 ом. Малая величина входной сопротивления не является препятствием для применения мощньн транзисторов, если связь с источником сигнала осуществляется чере: трансформатор.  [15]



Страницы:      1    2    3